氧化物薄膜晶体管研究--金属/半导体界面和柔性薄膜晶体管
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·薄膜晶体管概述 | 第12-25页 |
| ·薄膜晶体管的发展及应用 | 第12-20页 |
| ·氧化物薄膜晶体管研究现状 | 第20-25页 |
| ·氧化物薄膜晶体管结构及工作原理 | 第25-29页 |
| ·氧化物薄膜晶体管的结构 | 第25-27页 |
| ·氧化物薄膜晶体管的工作原理 | 第27-29页 |
| ·薄膜晶体管重要性能参数 | 第29-32页 |
| ·本论文的研究目的和创新之处 | 第32-34页 |
| 第二章 实验制备技术和表征方法 | 第34-46页 |
| ·制备技术 | 第34-40页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第34-36页 |
| ·等离子增强化学气相沉积 | 第36-37页 |
| ·阳极氧化 | 第37页 |
| ·薄膜图案化 | 第37-40页 |
| ·退火 | 第40页 |
| ·表征方法 | 第40-46页 |
| ·薄膜厚度 | 第40-41页 |
| ·薄膜结构及成分 | 第41-42页 |
| ·薄膜表面形貌 | 第42-43页 |
| ·薄膜电学性能 | 第43-45页 |
| ·薄膜光学性能 | 第45页 |
| ·薄膜晶体管性能 | 第45-46页 |
| 第三章 基于氧化铟锌的薄膜晶体管 | 第46-64页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·有源层制备条件对器件性能的影响 | 第46-55页 |
| ·氧含量 | 第47-52页 |
| ·溅射气压 | 第52-55页 |
| ·不同气氛后退火对器件性能的影响 | 第55-63页 |
| ·空气退火 | 第56-59页 |
| ·氮气退火 | 第59-61页 |
| ·氧气退火 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 源漏电极对器件性能的影响 | 第64-75页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·源漏电极薄膜的制备 | 第64-67页 |
| ·薄膜制备 | 第64-65页 |
| ·结果及讨论 | 第65-67页 |
| ·源漏电极制备条件对器件性能的影响 | 第67-74页 |
| ·器件制备 | 第68-69页 |
| ·器件性能 | 第69-70页 |
| ·结果分析 | 第70-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第五章 背沟道刻蚀薄膜晶体管 | 第75-87页 |
| ·引言 | 第75页 |
| ·实验 | 第75-77页 |
| ·结果及分析 | 第77-86页 |
| ·湿法刻蚀源漏电极 | 第77-81页 |
| ·器件性能 | 第81-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 柔性薄膜晶体管 | 第87-107页 |
| ·引言 | 第87-88页 |
| ·实验 | 第88-91页 |
| ·结果及分析 | 第91-105页 |
| ·阳极氧化 Al_2O_3性能 | 第91-101页 |
| ·柔性薄膜晶体管性能 | 第101-104页 |
| ·柔性显示屏效果 | 第104-105页 |
| ·本章小结 | 第105-107页 |
| 第七章 易刻蚀的多层透明电极 | 第107-129页 |
| ·引言 | 第107-108页 |
| ·单层 ITO 透明导电薄膜 | 第108-121页 |
| ·氧含量 | 第108-113页 |
| ·溅射气压 | 第113-117页 |
| ·薄膜厚度 | 第117-121页 |
| ·多层 ITO/IZO 复合透明电极 | 第121-128页 |
| ·薄膜制备 | 第121-122页 |
| ·实验结果及分析 | 第122-128页 |
| ·本章小结 | 第128-129页 |
| 结论 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-141页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第141-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 附件 | 第145页 |
