| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-12页 |
| 1 前言 | 第12-24页 |
| ·薄膜晶体管的发展与应用 | 第12-13页 |
| ·ZnO基薄膜晶体管的研究进展 | 第13-17页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理及性能表征 | 第17-19页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第19-20页 |
| ·参考文献 | 第20-24页 |
| 2 ZnO：Li薄膜晶体管的研制 | 第24-44页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·ZnO：Li薄膜晶体管的制备 | 第25-26页 |
| ·实验结果与讨论 | 第26-40页 |
| ·退火温度对ZnO：Li-TFT性能的影响 | 第26-33页 |
| ·有源层厚度对ZnO：Li-TFT性能的影响 | 第33-35页 |
| ·沟道长度对ZnO：Li-TFT迁移率的影响 | 第35-37页 |
| ·未退火的有源层厚度对ZnO：Li-TFT性能的影响 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| ·参考文献 | 第41-44页 |
| 3 ZnO：N薄膜晶体管的研制 | 第44-66页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·ZnO：N薄膜晶体管的制备 | 第44-46页 |
| ·实验结果与讨论 | 第46-63页 |
| ·退火温度对ZnO：N-TFT性能的影响 | 第46-53页 |
| ·有源层厚度对ZnO：N-TFT性能的影响 | 第53-57页 |
| ·沟道长度对ZnO：N-TFT性能的影响 | 第57-59页 |
| ·ZnO：N-TFT的稳定性 | 第59-60页 |
| ·未退火的有源层厚度对ZnO：N-TFT性能的影响 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| ·参考文献 | 第64-66页 |
| 4 ZnO：(Li,N)薄膜晶体管的研制 | 第66-86页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·ZnO：(Li,N)薄膜晶体管的制备 | 第66-68页 |
| ·实验结果与讨论 | 第68-82页 |
| ·退火温度对ZnO：(Li,N)-TFT性能的影响 | 第68-74页 |
| ·有源层厚度对ZnO：(Li,N)-TFT性能的影响 | 第74-79页 |
| ·沟道长度对ZnO：(Li,N)-TFT性能的影响 | 第79-80页 |
| ·ZnO：(Li,N)-TFT的稳定性 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| ·参考文献 | 第83-86页 |
| 5 未退火的ZnO：(Li,N)薄膜晶体管的研制 | 第86-106页 |
| ·引言 | 第86页 |
| ·未退火的ZnO：(Li,N)薄膜晶体管的制备 | 第86-88页 |
| ·实验结果与讨论 | 第88-102页 |
| ·有源层厚度对ZnO：(Li,N)-TFT性能的影响 | 第89-93页 |
| ·紫外臭氧处理对ZnO：(Li,N)-TFT性能的影响 | 第93-97页 |
| ·氩氧气流比对ZnO：(Li,N)-TFT性能的影响 | 第97-99页 |
| ·Al_2O_3缓冲层对ZnO：(Li,N)-TFT性能的影响 | 第99-101页 |
| ·未退火的ZnO：(Li,N)-TFT的稳定性 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| ·参考文献 | 第103-106页 |
| 6 结论 | 第106-108页 |
| 作者简介 | 第108-112页 |
| 学位论文数据集 | 第112页 |
