| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 引言 | 第7-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第7页 |
| 1.2 神经元突触与研究相关性 | 第7-10页 |
| 1.2.1 神经元突触简述 | 第7-9页 |
| 1.2.2 神经元突触生理活动机理 | 第9-10页 |
| 1.3 仿神经元突触行为技术发展 | 第10-17页 |
| 1.3.1 仿神经元突触行为的无结型薄膜晶体管 | 第10-13页 |
| 1.3.2 仿神经元突触行为的碳纳米管晶体管 | 第13-17页 |
| 1.4 本研究的选题依据及主要内容 | 第17-19页 |
| 1.4.1 本研究的选题依据 | 第17-18页 |
| 1.4.2 研究主要内容及结构 | 第18-19页 |
| 2 薄膜晶体管原理和分类 | 第19-22页 |
| 2.1 薄膜晶体管原理 | 第19-20页 |
| 2.2 薄膜晶体管分类 | 第20-22页 |
| 3 碳纳米管的研究 | 第22-26页 |
| 3.1 碳纳米管概述 | 第22-23页 |
| 3.2 碳纳米管的性质 | 第23-26页 |
| 3.2.1 电学特性 | 第23页 |
| 3.2.2 CNT敏感性 | 第23-24页 |
| 3.2.3 CNT的制备 | 第24页 |
| 3.2.4 CNT的提纯 | 第24-26页 |
| 4 碳纳米管晶体管的制备设备和表征技术 | 第26-33页 |
| 4.1 工艺设备 | 第26-29页 |
| 4.1.1 电子束蒸发系统 | 第26-27页 |
| 4.1.2 等离子体增强化学气相淀积 | 第27-28页 |
| 4.1.3 刻蚀机 | 第28-29页 |
| 4.2 表征技术 | 第29-33页 |
| 4.2.1 扫描电子显微镜 | 第29-30页 |
| 4.2.2 原子力显微镜 | 第30页 |
| 4.2.3 半导体特性分析系统 | 第30-31页 |
| 4.2.4 真空探针台 | 第31-33页 |
| 5 碳纳米管突触晶体管的研究和制备 | 第33-45页 |
| 5.1 电双层栅介质的研究和制备 | 第33-35页 |
| 5.2 碳纳米管分散液法研究和制备 | 第35-39页 |
| 5.2.1 CNT固体的分散 | 第35-36页 |
| 5.2.2 分散均匀性 | 第36-37页 |
| 5.2.3 CNT网络的沉积 | 第37-39页 |
| 5.3 碳纳米管突触晶体管的制备 | 第39-43页 |
| 5.3.1 准备工作 | 第39页 |
| 5.3.2 表征设备 | 第39-40页 |
| 5.3.3 具体实验步骤 | 第40-43页 |
| 5.4 微观表征 | 第43-45页 |
| 6 碳纳米管突触晶体管的电学性能及仿神经突触行为 | 第45-59页 |
| 6.1 碳纳米管突触晶体管电学性能分析 | 第45-50页 |
| 6.1.1 性能参数测量过程 | 第45页 |
| 6.1.2 晶体管性能参数计算 | 第45-50页 |
| 6.2 碳纳米管突触晶体管的仿神经突触行为 | 第50-59页 |
| 6.2.1 碳纳米管突触晶体管仿神经突触行为的测试 | 第50-57页 |
| 6.2.2 碳纳米管突触晶体管仿神经突触可塑性的测试 | 第57-59页 |
| 7 结论与展望 | 第59-61页 |
| 7.1 结论 | 第59页 |
| 7.2 展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第68页 |