当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
化合物半导体
锰掺杂硅化镁薄膜的研究
掺杂CeO2的第一性原理计算
锑掺杂ZnO微米线的生长及热电特性研究
激光辅助Ga滴迁移行为的研究
聚合物辅助沉积法制备纳米二硫化钼及应用
ZnO/MgO核壳量子点制备及其发光特性的研究
二氧化钛纳米晶的微结构调控及光催化性能的研究
ZrO2材料的DFT研究
脉冲激光沉积CdO和ZnO基薄膜及其光电性能研究
溶胶凝胶法制备二氧化锡气敏薄膜
Cu衬底上超细ZnO纳米线的制备及其光学性质研究
透明导电ZnO薄膜的制备及其SPP调制器研究
用于深紫外光电器件的AlxGa1-xN基外延材料生长与掺杂研究
过渡元素掺杂纳米锌基半导体材料的合成及掺杂行为对光/磁特性影响研究
基于极性面和非极性面GaN/AlN模板上ZnO薄膜材料生长研究
低温相变氧化钒薄膜的制备及性能研究
ZnO微结构的合成、表面改性及其气敏性研究
掺杂Ga2Te3基半导体材料的结构与热电性能研究
磁控溅射法制备Nb掺杂TiO2透明导电薄膜与其性能研究
复合及掺杂对NiO纳米材料的甲苯、二甲苯气敏性能改进的研究
电子束诱导氧化锌量子点的可控生长与载流子调制
高质量ZnO薄膜的MOCVD法可控生长及其发光器件研究
掺杂ZnO及InP半导体的电子结构及磁性研究
ZnO纳米线的电子结构调控及磁性
与GaN近似晶格匹配InxAl1-xN的制备和物性研究
氧化亚铜薄膜的分子束外延生长研究
单晶碳化硅磁场辅助电化学机械研抛实验与机理研究
立方碳化硅化学机械抛光的分子动力学仿真
振动辅助电化学抛光碳化硅的仿真与实验研究
半绝缘GaAs体雪崩纳秒脉冲输出特性研究
铟掺杂砷化镓材料的光电特性研究
S吸附对SiC表面重构影响的第一性原理研究
金属氧化物半导体纳米结构的调控与性能表征
ZnO发光效率提升机制研究及ZnO/ZnMgO多量子阱发光器件研制
氮化镓纳米薄膜声子和热学性能的表面/界面效应理论研究
界面插入层对二次生长ZnO纳米线形貌和光电性能的调控
基于溶胶凝胶法制备SnO2薄膜光电特性研究
石墨衬底半导体ZnO和SiC材料生长研究
爆轰合成离子掺杂纳米二氧化钛光催化研究
n-ZnO/ZnMgO/p-GaN载流子传输机制和VO2薄膜太赫兹光谱研究
Al2O3和SiC衬底生长GaN质量对比及SiC衬底倾角对GaN质量的影响
石墨烯基金属硫化物半导体复合材料的控制合成及其性质研究
几种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的合成及光、电、热特性研究
基于侧向生长ZnO纳米杆的光电器件
GaAs基Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管的关键特性研究
Si基Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管的制备与特性表征
纳米ZnO材料制备及其光电化学性能研究
掺杂碲化铋的电子结构及热电性质
GaAs1-xBix的电子结构及光学性质理论研究
异变外延用纳米图形衬底与Ⅲ-Ⅴ族自组织量子点的研究
上一页
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
下一页
