| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 InGaAs材料及其研究进展 | 第10-12页 |
| 1.2.1 InGaAs材料特性 | 第10-11页 |
| 1.2.2 InGaAs材料的研究进展与现状 | 第11-12页 |
| 1.3 选题的依据及研究的内容 | 第12页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第12-15页 |
| 2 基本的研究方法 | 第15-23页 |
| 2.1 第一性原理 | 第15页 |
| 2.2 Hartree-Fock方法 | 第15页 |
| 2.3 绝热近似 | 第15-16页 |
| 2.4 Hartree-Fock近似 | 第16页 |
| 2.5 密度泛函理论 | 第16-19页 |
| 2.5.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.5.2 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.6 局域密度近似（LDA）和广义梯度近似（GGA） | 第19页 |
| 2.7 Materials Studio及VASP软件 | 第19-20页 |
| 2.8 模型构建及计算方法 | 第20页 |
| 2.9 本章小结 | 第20-23页 |
| 3 不同比例的In掺杂对GaAs特性影响的研究 | 第23-47页 |
| 3.1 计算模型 | 第23-24页 |
| 3.2 本征砷化镓的能带结构和态密度 | 第24-25页 |
| 3.3 In_1Ga_(31)As_(32)电子结构和光学性质 | 第25-31页 |
| 3.3.1 In_1Ga_(31)As_(32)的能带结构和态密度 | 第25-26页 |
| 3.3.2 In_1Ga_(31)As_(32)的光学性质 | 第26-31页 |
| 3.4 In_2Ga_(30)As_(32)的电子结构和光学性质 | 第31-36页 |
| 3.4.1 In_2Ga_(30)As_(32)的能带结构和态密度 | 第31-32页 |
| 3.4.2 In_2Ga_(30)As_(32)的光学性质 | 第32-36页 |
| 3.5 In_3Ga_(29)As_(32)的电子结构和光学性质 | 第36-40页 |
| 3.5.1 In_3Ga_(29)As_(32)的能带结构和态密度 | 第36-37页 |
| 3.5.2 In_3Ga_(29)As_(32)的光学性质 | 第37-40页 |
| 3.6 In_4Ga_(28)As_(32)的电子结构和光学性质 | 第40-45页 |
| 3.6.1 In_4Ga_(28)As_(32)的能带结构和态密度 | 第40-42页 |
| 3.6.2 In_4Ga_(28)As_(32)的光学性质 | 第42-45页 |
| 3.7 本章小结 | 第45-47页 |
| 4 同一比例不同位置In掺杂GaAs的光电特性 | 第47-53页 |
| 4.1 In表面掺杂GaAs的In_3Ga_(29)As_(32)的能带结构和态密度 | 第47-49页 |
| 4.2 In表面掺杂GaAs的In_3Ga_(29)As_(32)的光学性质 | 第49-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 Ga掺杂InAs光电特性的研究 | 第53-65页 |
| 5.1 In_(25)Ga_7As_(32)的电子结构和光学性质 | 第53-58页 |
| 5.1.1 In_(25)Ga_7As_(32)的能带结构和态密度 | 第53-55页 |
| 5.1.2 In_(25)Ga_7As_(32)的光学性质 | 第55-58页 |
| 5.2 In_(26)Ga_6As_(32)的电子结构和光学性质 | 第58-63页 |
| 5.2.1 In_(26)Ga_6As_(32)的能带结构和态密度 | 第58-59页 |
| 5.2.2 In_(26)Ga_6As_(32)的光学性质 | 第59-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 6 结论与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 本文的主要结论 | 第65页 |
| 6.2 展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录 | 第73页 |
