| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 纳米材料与器件的发展 | 第9-10页 |
| 1.3 GaAsBi材料的发展现状与趋势 | 第10-11页 |
| 1.4 GaAsBi材料研究内容和目标 | 第11-12页 |
| 1.5 论文的章节安排 | 第12-14页 |
| 第二章 理论模型和计算方法 | 第14-27页 |
| 2.1 GaAsBi光电子材料的理论模型 | 第14-15页 |
| 2.1.1 GaAsBi体材料理论模型 | 第14页 |
| 2.1.2 GaAsBi纳米线理论模型 | 第14-15页 |
| 2.2 理论基础 | 第15-20页 |
| 2.2.1 密度泛函理论(Density Functional Theory) | 第15-16页 |
| 2.2.2 交换关联泛函 | 第16-17页 |
| 2.2.3 第一性原理(First-principles theory) | 第17页 |
| 2.2.4 薛定谔方程 | 第17-18页 |
| 2.2.5 绝热近似 | 第18-19页 |
| 2.2.6 自旋轨道耦合(Spin Orbit Coupling) | 第19-20页 |
| 2.3 能带理论计算及应用 | 第20-26页 |
| 2.3.1 能带计算方法 | 第20-24页 |
| 2.3.1.1 平面波方法 | 第21页 |
| 2.3.1.2 赝势法 | 第21-22页 |
| 2.3.1.3 紧束缚近似方法 | 第22-23页 |
| 2.3.1.4 正交化平面波方法 | 第23-24页 |
| 2.3.2 能带结构 | 第24页 |
| 2.3.3 能态密度 | 第24-25页 |
| 2.3.4 光学性质 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 GaAsBi体材料的电子结构和光学性质 | 第27-42页 |
| 3.1 GaAsBi体材料的计算方法 | 第27-28页 |
| 3.2 GaAsBi体材料的几何结构优化 | 第28-30页 |
| 3.3 GaAs_(1-x)Bi_x体材料的电子结构 | 第30-36页 |
| 3.3.1 GaAs_(1-x)Bi_x体材料的能带结构 | 第30-33页 |
| 3.3.2 GaAs_(1-x)Bi_x体材料的态密度 | 第33-36页 |
| 3.4 GaAs_(1-x)Bi_x体材料的光学性质 | 第36-40页 |
| 3.4.1 介电常数ε_2(ω) | 第36-38页 |
| 3.4.2 吸收系数α(ω) | 第38-39页 |
| 3.4.3 反射率R(ω) | 第39-40页 |
| 3.4.4 能量损失谱L(ω) | 第40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 GaAsBi纳米线的电子结构和光学性质 | 第42-52页 |
| 4.1 GaAsBi纳米线的计算方法 | 第42页 |
| 4.2 GaAsBi纳米线的几何结构优化 | 第42-44页 |
| 4.3 GaAs_(1-x)Bi_x纳米线的电子结构 | 第44-48页 |
| 4.3.1 GaAs_(1-x)Bi_x纳米线的能带结构 | 第44-45页 |
| 4.3.2 GaAs_(1-x)Bi_x纳米线的态密度 | 第45-48页 |
| 4.4 GaAs_(1-x)Bi_x纳米线的光学性质 | 第48-51页 |
| 4.4.1 介电常数虚部ε_2(ω) | 第48-49页 |
| 4.4.2 吸收系数α(ω) | 第49-50页 |
| 4.4.3 反射率R(ω) | 第50-51页 |
| 4.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结和展望 | 第52-55页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第52-53页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第61页 |
