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爆轰合成离子掺杂纳米二氧化钛光催化研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第10-20页
    1.1 TiO_2半导体光催化技术的发展第10页
    1.2 纳米TiO_2的制备方法第10-13页
        1.2.1 气相法第11-12页
        1.2.2 液相法第12-13页
        1.2.3 爆轰法第13页
    1.3 TiO_2光催化的改性方法第13-15页
        1.3.1 贵金属沉积第14页
        1.3.2 掺杂离子第14-15页
        1.3.3 半导体复合第15页
        1.3.4 半导体光敏化第15页
    1.4 纳米TiO_2半导体光催化剂的应用第15-18页
        1.4.1 环保方面的应用第15-16页
        1.4.2 生保健方面的应用第16页
        1.4.3 防雾及自清洁方面的应用第16-17页
        1.4.4 隐形材料方面的应用第17-18页
    1.5 本文研究的内容及选题意义第18-20页
        1.5.1 研究内容第18页
        1.5.2 研究意义第18-20页
2 TiO_2半导体光催化机理第20-27页
    2.1 TiO_2的晶体结构第20-21页
    2.2 TiO_2半导体的能带结构及光催化过程第21-24页
        2.2.1 TiO_2半导体的能带结构第21-22页
        2.2.2 半导体的光催化过程第22-24页
    2.3 离子掺杂提高光催化性的原理第24-25页
    2.4 TiO_2光催化活性的影响因素第25-26页
        2.4.1 TiO_2晶体结构的影响第25-26页
        2.4.2 半导体粒径尺寸第26页
        2.4.3 溶液pH值的影响第26页
        2.4.4 其他影响因素第26页
    2.5 本章小结第26-27页
3 爆轰法制备离子掺杂的纳米TiO_2第27-35页
    3.1 实验的材料及设备第27-28页
        3.1.1 实验材料第27页
        3.1.2 实验设备第27-28页
    3.2 实验原理与流程第28-30页
        3.2.1 Zn离子掺杂的实验原理与流程第28-29页
        3.2.2 Cu离子掺杂的实验原理与流程第29-30页
    3.3 爆轰参数的估算第30-34页
        3.3.1 爆轰参数估算原理第30-33页
        3.3.2 爆轰参数计算第33-34页
    3.4 本章小结第34-35页
4 实验样品的分析与表征第35-49页
    4.1 Zn离子掺杂浓度对爆轰法制备纳米TiO_2的影响第35-37页
    4.2 Cu离子掺杂浓度对爆轰法制备纳米TiO_2的影响第37-46页
        4.2.1 XRD结果分析第37-39页
        4.2.2 TEM结果分析第39-41页
        4.2.3 HRTEM分析第41-42页
        4.2.4 EDX结果分析第42页
        4.2.5 DRS结果分析第42-43页
        4.2.6 红外吸收光谱分析第43-46页
    4.3 黑索金含量变化对爆轰法制备纳米TiO_2的影响第46-48页
    4.4 本章小结第48-49页
5 纳米二氧化钛的光催化性能研究第49-62页
    5.1 光催化降解实验第49-52页
        5.1.1 实验设备与试剂第49-50页
        5.1.2 最大工作波长第50页
        5.1.3 标准谱线第50-51页
        5.1.4 光催化的实验过程第51-52页
        5.1.5 空白试验第52页
    5.2 Zn离子掺杂的TiO_2的光催化结果第52-54页
    5.3 Cu离子掺杂的TiO_2的光催化结果第54-59页
        5.3.1 甲基橙溶液初始浓度的影响第54-55页
        5.3.2 TiO_2用量的影响第55-56页
        5.3.3 甲基橙溶液初始pH值的影响第56-57页
        5.3.4 掺杂Cu离子的TiO_2的光催化效果第57-58页
        5.3.5 光催化时间的影响第58-59页
    5.4 不同黑索金质量分数制备的TiO_2的光催化结果第59-60页
    5.5 本章小结第60-62页
结论第62-63页
不足与展望第63-64页
参考文献第64-67页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第67-68页
致谢第68-69页

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