| 内容提要 | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-35页 |
| 1.1 ZnO 材料简介 | 第10-12页 |
| 1.1.1 ZnO 材料的基本性质 | 第10页 |
| 1.1.2 ZnO 材料的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.1.3 ZnO 材料的应用 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO 材料的研究进展 | 第12-18页 |
| 1.2.1 ZnO 单晶薄膜研究 | 第12-14页 |
| 1.2.2 ZnO 纳米结构研究 | 第14页 |
| 1.2.3 ZnO 的 p 型掺杂研究 | 第14-18页 |
| 1.3 ZnO 基光电器件的研究进展 | 第18-25页 |
| 1.3.1 ZnO 基紫外 LEDs 的研究进展 | 第18-21页 |
| 1.3.2 ZnO 基紫外 LDs 的研究进展 | 第21-25页 |
| 1.4 本论文的选题依据与研究内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-35页 |
| 第2章 光辅助 MOCVD 法可控生长高质量 ZnO 外延膜 | 第35-87页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 光辅助 MOCVD 系统 | 第35-42页 |
| 2.2.1 MOCVD 系统简介 | 第35页 |
| 2.2.2 本论文中用于制备 ZnO 薄膜的 MOCVD 系统 | 第35-39页 |
| 2.2.3 MOCVD 法制备 ZnO 材料的工艺简介 | 第39-42页 |
| 2.3 光辅助 MOCVD 法可控生长 ZnO 单晶薄膜 | 第42-53页 |
| 2.3.1 光辐照强度对 ZnO 形貌特性的影响 | 第42-45页 |
| 2.3.2 光辐照强度对 ZnO 结晶特性的影响 | 第45-48页 |
| 2.3.3 光辐照强度对 ZnO 光学特性的影响 | 第48-52页 |
| 2.3.4 光辐照强度对 ZnO 电学特性的影响 | 第52-53页 |
| 2.4 光辅助 MOCVD 法可控生长多维度 ZnO 外延层 | 第53-63页 |
| 2.4.1 实验过程简述 | 第53-54页 |
| 2.4.2 生长条件对 ZnO 外延层形貌特性的影响 | 第54-58页 |
| 2.4.3 生长条件改变对外延层维度调节的机制分析 | 第58-61页 |
| 2.4.4 GaN/c-Al2O3衬底上二维 ZnO 厚膜的结晶特性分析 | 第61-63页 |
| 2.4.5 不同维度 ZnO 外延层的光学特性研究 | 第63页 |
| 2.5 二维 ZnO 纳米墙网络结构的可控生长及其特性研究 | 第63-73页 |
| 2.5.1 ZnO 纳米墙网络结构的常用制备方法 | 第64-65页 |
| 2.5.2 ZnO 纳米墙网络结构的形貌与结晶特性 | 第65-66页 |
| 2.5.3 ZnO 纳米墙网络结构的生长机制分析 | 第66-69页 |
| 2.5.4 不同微孔尺寸 ZnO 纳米墙网络结构的可控制备 | 第69-73页 |
| 2.6 一维 ZnO 纳米线阵列结构的可控生长及其特性研究 | 第73-81页 |
| 2.6.1 实验过程简述 | 第73-74页 |
| 2.6.2 生长条件对 ZnO 纳米线阵列的特性影响 | 第74-79页 |
| 2.6.3 一维 ZnO 纳米线的生长机制分析 | 第79-81页 |
| 2.7 本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 第3章 n-ZnO/p-GaN 异质结器件的特性研究 | 第87-113页 |
| 3.1 引言 | 第87-88页 |
| 3.2 n-ZnO 纳米墙网络/p-GaN 异质结器件的制备及其特性研究 | 第88-99页 |
| 3.2.1 器件的制备流程 | 第88-91页 |
| 3.2.2 ZnO 纳米墙网络的材料特性研究 | 第91-92页 |
| 3.2.3 n-ZnO 纳米墙网络/p-GaN 异质结的能带结构 | 第92-93页 |
| 3.2.4 n-ZnO 纳米墙网络/p-GaN 异质结器件的电学特性研究 | 第93-97页 |
| 3.2.5 n-ZnO 纳米墙网络/p-GaN 异质结器件的温度敏感特性 | 第97-99页 |
| 3.3 n-ZnO 纳米线/ZnO 单晶膜/p-GaN 异质结器件的制备及其特性研究 | 第99-106页 |
| 3.3.1 器件的制备流程 | 第99-100页 |
| 3.3.2 ZnO 单晶薄膜、纳米线阵列的材料特性研究 | 第100-101页 |
| 3.3.3 n-ZnO 纳米线/ZnO 单晶膜/p-GaN 异质结器件的电学特性研究 | 第101-105页 |
| 3.3.4 n-ZnO 纳米线/ZnO 单晶膜/p-GaN 异质结器件的温度敏感特性 | 第105-106页 |
| 3.4 本章小结 | 第106-109页 |
| 参考文献 | 第109-113页 |
| 第4章 As 掺杂制备 p-ZnO 薄膜及异质结发光器件 | 第113-139页 |
| 4.1 引言 | 第113-114页 |
| 4.2 As 掺杂 ZnO 薄膜的特性研究 | 第114-123页 |
| 4.2.1 As 掺杂 ZnO 的受主形成机制 | 第114-115页 |
| 4.2.2 GaAs 夹层方法制备 p-ZnO 薄膜 | 第115页 |
| 4.2.3 生长温度对 ZnO:As 薄膜性质的影响 | 第115-120页 |
| 4.2.4 ZnO:As 薄膜的光学特性 | 第120-123页 |
| 4.3 p-ZnO:As 基异质结发光器件的研究 | 第123-133页 |
| 4.3.1 p-ZnO:As/n-SiC 异质结发光器件的制备及其特性研究 | 第123-127页 |
| 4.3.2 p-ZnO:As/n-GaN/n-SiC 异质结发光器件的制备及其特性研究 | 第127-133页 |
| 4.4 本章小结 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-139页 |
| 第5章 Si 基 ZnO 发光器件的特性研究 | 第139-166页 |
| 5.1 引言 | 第139-140页 |
| 5.2 n-ZnO/i-MgZnO/p-Si 异质结器件的制备及其特性研究 | 第140-145页 |
| 5.2.1 n-ZnO/i-MgZnO/p-Si 异质结器件的制备 | 第140页 |
| 5.2.2 ZnO、MgZnO 薄膜的特性研究 | 第140-142页 |
| 5.2.3 n-ZnO/i-MgZnO/p-Si 异质结器件的电学特性研究 | 第142-145页 |
| 5.3 n-MgZnO/i-ZnO/SiO_2/p-Si 不对称双异质结器件的制备及其特性研究 | 第145-160页 |
| 5.3.1 随机激光的简介及发展 | 第145-150页 |
| 5.3.2 器件的制备流程 | 第150-152页 |
| 5.3.3 ZnO、MgZnO 薄膜的特性研究 | 第152-153页 |
| 5.3.4 n-MgZnO/i-ZnO/SiO_2/p-Si 异质结器件的电学特性研究 | 第153-156页 |
| 5.3.5 n-MgZnO/i-ZnO/SiO_2/p-Si 异质结器件的激射行为分析 | 第156-160页 |
| 5.4 本章小结 | 第160-162页 |
| 参考文献 | 第162-166页 |
| 第6章 基于 ZnO/MgO 核壳纳米结构的紫外激光器件制备及其特性研究 | 第166-197页 |
| 6.1 引言 | 第166-167页 |
| 6.2 ZnO 纳米线基 MIS 结型 LDs 的制备及其特性研究 | 第167-178页 |
| 6.2.1 ZnO 纳米线/MgO 核壳异质结构的制备 | 第167-170页 |
| 6.2.2 ZnO 纳米线/MgO 核壳异质结构的光学特性分析 | 第170-172页 |
| 6.2.3 ZnO 纳米线基 MIS 结型 LDs 的制备及其电学特性 | 第172-174页 |
| 6.2.4 ZnO 纳米线基 MIS 激光器件的激射行为分析 | 第174-178页 |
| 6.3 ZnO 纳米墙网络基 MIS 结型 LDs 的制备及其特性研究 | 第178-186页 |
| 6.3.1 ZnO 纳米墙网络/MgO 核壳异质结构的制备 | 第178-179页 |
| 6.3.2 ZnO 纳米墙网络基 MIS 结型 LDs 的制备及其电学特性 | 第179-182页 |
| 6.3.3 ZnO 纳米墙网络基 MIS 激光器件的激射行为分析 | 第182-186页 |
| 6.4 n-ZnO/MgO/p-NiO 纳米线三层核壳结构双向驱动发光器件 | 第186-191页 |
| 6.4.1 ZnO/MgO/NiO 三层核壳异质结构的制备 | 第186-187页 |
| 6.4.2 n-ZnO/MgO/p-NiO 异质结器件的制备及其电学特性 | 第187-189页 |
| 6.4.3 n-ZnO/MgO/p-NiO 异质结中载流子产生、传输和复合机制分析 | 第189-191页 |
| 6.5 本章小结 | 第191-193页 |
| 参考文献 | 第193-197页 |
| 结论 | 第197-201页 |
| 本论文的创新点 | 第201-203页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第203-209页 |
| 致谢 | 第209-211页 |
| 中文摘要 | 第211-214页 |
| Abstract | 第214-216页 |
