| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 课题背景 | 第9页 |
| 1.2 ZnO量子点特性 | 第9-19页 |
| 1.2.1 ZnO晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 ZnO量子点的激子特性 | 第10-14页 |
| 1.2.3 ZnO量子点的光致发光(PL)性能 | 第14-16页 |
| 1.2.4 ZnO量子点的气敏传感器应用 | 第16-19页 |
| 1.3 ZnO的空穴载流子调制 | 第19-22页 |
| 1.4 ZnO量子点制备方法 | 第22-28页 |
| 1.4.1 化学方法 | 第22-24页 |
| 1.4.2 物理方法 | 第24-27页 |
| 1.4.3 电子束诱导生长 | 第27-28页 |
| 1.5 本论文研究的主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 试验方法 | 第29-32页 |
| 2.1 原料及试验设备仪器 | 第29-30页 |
| 2.1.1 试验原料 | 第29页 |
| 2.1.2 试验设备仪器 | 第29-30页 |
| 2.2 ZnO量子点(QD)生长 | 第30-32页 |
| 2.2.1 ZnO纳米棒(NR)制备 | 第30-31页 |
| 2.2.2 ZnO量子点生长 | 第31-32页 |
| 第三章 ZnO量子点的生长 | 第32-42页 |
| 3.1 ZnO纳米棒的形貌及结构表征 | 第32-35页 |
| 3.1.1 SEM形貌表征 | 第32-33页 |
| 3.1.2 TEM表征 | 第33-34页 |
| 3.1.3 EELS分析 | 第34-35页 |
| 3.2 ZnO量子点的原位生长过程 | 第35-36页 |
| 3.3 调控ZnO量子点的生长 | 第36-41页 |
| 3.3.1 调整电子束加速电压 | 第36-37页 |
| 3.3.2 调整电子束能流密度 | 第37-38页 |
| 3.3.3 调整ZnO纳米棒所处气氛 | 第38-39页 |
| 3.3.4 调整ZnO表面状态 | 第39-40页 |
| 3.3.5 改变ZnO纳米棒化学组成 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 ZnO量子点的载流子调制与应用 | 第42-57页 |
| 4.1 ZnO量子点的生长机理 | 第42-45页 |
| 4.1.1 Knock-on damage理论 | 第42页 |
| 4.1.2 O元素分布分析 | 第42-43页 |
| 4.1.3 ZnO纳米棒应力分析 | 第43-45页 |
| 4.1.4 小结 | 第45页 |
| 4.2 ZnO量子点内的载流子类型分析 | 第45-49页 |
| 4.2.1 ZnO量子点内缺陷分析 | 第45-46页 |
| 4.2.2 近边精细结构(ELNES)分析 | 第46-48页 |
| 4.2.3 EELS低损谱 | 第48页 |
| 4.2.4 电子全息(Holography) | 第48-49页 |
| 4.3 ZnO量子点-纳米棒体系电学性能 | 第49-56页 |
| 4.3.1 原位通电测试 | 第49-53页 |
| 4.3.2 原位光电测试 | 第53-54页 |
| 4.3.3 离位通电测试 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-58页 |
| 5.1 ZnO量子点的可控生长与生长机理 | 第57页 |
| 5.2 ZnO量子点的空穴载流子调制 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 个人简历 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第68页 |