| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-12页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 AlGaN 器件生长难点 | 第10页 |
| 1.3 文章结构 | 第10-12页 |
| 2 AlGaN 材料性质、制备及表征 | 第12-24页 |
| 2.1 AlGaN 材料性质介绍 | 第12-14页 |
| 2.2 AlGaN 材料器件结构介绍 | 第14-16页 |
| 2.3 AlGaN 材料的制备 | 第16-18页 |
| 2.4 AlGaN 材料表征 | 第18-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 3 AlN 模板质量的优化生长研究 | 第24-39页 |
| 3.1 生长方式及反应条件 | 第24-26页 |
| 3.2 低温层温度对 AlN 模板质量影响的研究 | 第26-33页 |
| 3.2.1 实验方案及过程 | 第26-28页 |
| 3.2.2 测量结果与数据分析 | 第28-33页 |
| 3.3 Ⅴ/Ⅲ对 PALE-AlN 层质量影响的研究 | 第33-38页 |
| 3.3.1 实验方案及过程 | 第33-34页 |
| 3.3.2 测试结果与数据分析 | 第34-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 4 AlGaN 材料 n 型掺杂研究 | 第39-51页 |
| 4.1 n-Al_(0.65)Ga_(0.35)N 晶体质量的优化 | 第39-45页 |
| 4.1.1 实验方案及过程 | 第39-41页 |
| 4.1.2 测量结果与数据分析 | 第41-45页 |
| 4.2 Al 组分的不同对 n-AlGaN 晶体质量的影响 | 第45-49页 |
| 4.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 5 p-GaN 材料生长掺杂研究 | 第51-58页 |
| 5.1 实验方案及过程 | 第52-53页 |
| 5.2 测量结果与数据分析 | 第53-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 6 总结与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
