| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 热电材料概述 | 第10页 |
| 1.2 热电效应及定义 | 第10-13页 |
| 1.2.1 热电效应原理（温差电效应） | 第10-11页 |
| 1.2.2 材料热电性能参数 | 第11-12页 |
| 1.2.3 提高热电优值（ZT）值的方法 | 第12-13页 |
| 1.3 热电材料的种类及展望 | 第13-15页 |
| 1.3.1 单相热电材料 | 第13-15页 |
| 1.3.2 纳米复合材料 | 第15页 |
| 1.4 热电效应的应用 | 第15-17页 |
| 1.5 本课题的研究目的及内容 | 第17-20页 |
| 第二章 实验 | 第20-24页 |
| 2.1 实验步骤 | 第20-22页 |
| 2.1.1 材料制备 | 第20-21页 |
| 2.1.2 材料表征 | 第21-22页 |
| 2.2 实验设备 | 第22-24页 |
| 第三章 掺杂 Ga_2Te_3基半导体材料的结构及热电性能 | 第24-34页 |
| 3.1 前言 | 第24页 |
| 3.2 材料的制备与性能表征 | 第24页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第24-31页 |
| 3.3.1 结构分析 | 第24-29页 |
| 3.3.2 Ga_(1.9)Cu_(0.05)Sb_(0.1)Te_(2.95)的热电性能分析 | 第29-31页 |
| 3.4 小结 | 第31-34页 |
| 第四章 含镉 Ga_2Te_3基半导体材料的热电性能研究 | 第34-42页 |
| 4.1 前言 | 第34页 |
| 4.2 材料制备与性能表征 | 第34页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第34-41页 |
| 4.3.1 Ga_(2-x)Cd_(1.5x)Te(x=0.025、0.05、0.1、0.2)结构与热电性能分析 | 第34-37页 |
| 4.3.2 Ga_(2-x)Cd_xTe_3(x=0.05、0.1、0.15、0.2)结构与热电性能分析 | 第37-39页 |
| 4.3.3 赝两元 Cd_((3-3m))Ga_(2m)Te_3合金的结构与热电性能 | 第39-41页 |
| 4.4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 MnxGa_2Te_3合金的结构及其热电性能研究 | 第42-46页 |
| 5.1 前言 | 第42页 |
| 5.2 材料的制备与性能表征 | 第42页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第42-44页 |
| 5.3.1 材料成分优化 | 第42-43页 |
| 5.3.2 热电性能分析 | 第43-44页 |
| 5.4 小结 | 第44-46页 |
| 第六章 Ga_2S_xTe_(3-x)合金的结构及其热电性能研究 | 第46-50页 |
| 6.1 前言 | 第46页 |
| 6.2 材料的制备与性能表征 | 第46页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第46-48页 |
| 6.3.1 材料成分优化 | 第46-47页 |
| 6.3.2 热电性能分析 | 第47-48页 |
| 6.4 小结 | 第48-50页 |
| 第七章 结论 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第60页 |
