| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 Cu_2O的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 Cu_2O薄膜的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.1 Cu_2O基太阳能电池 | 第14页 |
| 1.3.2 Cu_2O薄膜制备与掺杂 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第15-18页 |
| 第二章 实验仪器和实验原理 | 第18-34页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第18-21页 |
| 2.1.1 分子束外延技术 | 第19-20页 |
| 2.1.2 其他薄膜制备技术简介 | 第20-21页 |
| 2.2 射频等离子体辅助分子束外延设备 | 第21-26页 |
| 2.2.1 MBE源炉 | 第22-23页 |
| 2.2.2 射频等离子体源 | 第23-24页 |
| 2.2.3 反射式高能电子衍射仪系统 | 第24-26页 |
| 2.3 样品的分析及表征手段 | 第26-34页 |
| 2.3.1 高分辨X射线衍射 | 第26-30页 |
| 2.3.2 高分辨透射电子显微术 | 第30页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜和原子力显微镜 | 第30-32页 |
| 2.3.4 光致发光谱 | 第32页 |
| 2.3.5 吸收光谱 | 第32-33页 |
| 2.3.6 霍尔效应测试 | 第33-34页 |
| 第三章 Cu_2O薄膜在MgO衬底上的外延生长研究 | 第34-50页 |
| 3.1 研究背景 | 第34-36页 |
| 3.1.1 MgO衬底上Cu_2O薄膜的研究现状 | 第34-36页 |
| 3.1.2 MgO(110)面的小面化 | 第36页 |
| 3.2 小面化的MgO衬底上Cu_2O薄膜的制备 | 第36-40页 |
| 3.2.1 衬底的处理 | 第37页 |
| 3.2.2 Cu_2O薄膜的外延 | 第37-38页 |
| 3.2.3 RHEED图样分析 | 第38-40页 |
| 3.3 Cu_2O膜的表征 | 第40-48页 |
| 3.3.1 XRD | 第40-42页 |
| 3.3.2 TEM | 第42-45页 |
| 3.3.3 薄膜表面形貌研究 | 第45-46页 |
| 3.3.4 薄膜电学性能研究 | 第46-47页 |
| 3.3.5 薄膜光学性能研究 | 第47-48页 |
| 3.4 小结 | 第48-50页 |
| 第四章 Cu_2O薄膜在Si衬底上的生长研究 | 第50-72页 |
| 4.1 研究背景 | 第50-54页 |
| 4.1.1 Si衬底上Cu_2O薄膜的研究现状 | 第50-52页 |
| 4.1.2 铜在硅中的扩散及与硅的反应 | 第52-54页 |
| 4.1.3 本章主要内容 | 第54页 |
| 4.2 Si衬底上Cu_2O薄膜的外延生长研究 | 第54-61页 |
| 4.2.1 Si衬底的处理 | 第54-56页 |
| 4.2.2 Cu_2O薄膜的外延生长 | 第56-61页 |
| 4.3 Si衬底上Cu薄膜的氧化研究 | 第61-63页 |
| 4.3.1 Cu薄膜的沉积 | 第62-63页 |
| 4.3.2 Cu薄膜的氧化 | 第63页 |
| 4.4 Cu_2O薄膜的表征和分析 | 第63-71页 |
| 4.4.1 XRD | 第64-68页 |
| 4.4.2 薄膜表面形貌 | 第68-70页 |
| 4.4.3 薄膜电学性能 | 第70-71页 |
| 4.5 小结 | 第71-72页 |
| 第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-86页 |
| 附录 三面角余弦定理 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第90页 |