| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnO 材料的晶体结构和基本性质 | 第12-18页 |
| 1.3 ZnO 薄膜材料研究进展 | 第18-20页 |
| 1.4 非极性面 ZnO 薄膜的研究现状和意义 | 第20-22页 |
| 1.5 本论文的选题依据、内容及结构安排 | 第22-24页 |
| 2 GaN/AlN 材料特征及薄膜表征方法 | 第24-42页 |
| 2.1 缓冲层材料选择 | 第24-27页 |
| 2.2 AlN/GaN 材料的晶体结构和性质 | 第27-35页 |
| 2.3 薄膜表征技术 | 第35-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 3 MOCVD 生长 GaN/AlN 薄膜研究 | 第42-68页 |
| 3.1 薄膜生长原理分析 | 第42-44页 |
| 3.2 MOCVD 系统工作原理 | 第44-49页 |
| 3.3 高温连续法外延 AlN 模板 MOCVD 生长研究 | 第49-55页 |
| 3.4 AlN 模板生长极性面 GaN 薄膜研究 | 第55-59页 |
| 3.5 不同缓冲层上生长非极性面 a-GaN 薄膜研究 | 第59-66页 |
| 3.6 本章小结 | 第66-68页 |
| 4 磁控溅射法生长非极性面 ZnO 薄膜研究 | 第68-78页 |
| 4.1 磁控溅射系统工作原理 | 第68-71页 |
| 4.2 a-GaN 模板上生长非极性面 ZnO 薄膜研究 | 第71-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 5 脉冲激光沉积（PLD）法生长 ZnO 薄膜研究 | 第78-101页 |
| 5.1 脉冲激光沉积系统工作原理 | 第78-83页 |
| 5.2 优化 AlN 缓冲层厚度生长高质量极性面 ZnO 薄膜研究 | 第83-89页 |
| 5.3 衬底表面镀镍方法生长极性面 ZnO 薄膜研究 | 第89-93页 |
| 5.4 a-GaN 模版上生长非极性面 ZnO 薄膜研究 | 第93-99页 |
| 5.5 本章小结 | 第99-101页 |
| 6 全文总结与展望 | 第101-104页 |
| 6.1 本论文工作总结 | 第101-103页 |
| 6.2 工作展望 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-117页 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表及待发表论文目录 | 第117-118页 |
