| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 能产生纳秒级电脉冲的器件简介 | 第9-12页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第12-15页 |
| 2 半绝缘GaAs体雪崩样品最佳工作条件探究 | 第15-41页 |
| 2.1 半绝缘GaAs材料特性 | 第15-20页 |
| 2.1.1 GaAs材料的基本性质 | 第15-18页 |
| 2.1.2 半绝缘GaAs中的EL2深能级 | 第18-20页 |
| 2.2 半绝缘GaAs体雪崩样品的伏安特性 | 第20-23页 |
| 2.2.1 样品的伏安特性 | 第20-22页 |
| 2.2.2 样品的负阻特性 | 第22-23页 |
| 2.3 半绝缘GaAs体雪崩样品产生纳秒级电脉冲 | 第23-25页 |
| 2.4 储能电容对脉冲宽度和输出稳定性的影响 | 第25-29页 |
| 2.5 脉冲加压方式对脉冲输出稳定性的影响 | 第29-34页 |
| 2.6 样品温度对脉冲输出特性的影响 | 第34-39页 |
| 2.7 本章小结 | 第39-41页 |
| 3 同轴线储能、二级压缩和样品串联对脉冲波形的影响 | 第41-55页 |
| 3.1 同轴线储能产生方波 | 第41-44页 |
| 3.2 二级压缩模式对脉冲的影响 | 第44-47页 |
| 3.3 三样品串联对脉冲输出的影响 | 第47-53页 |
| 3.3.1 样品串联对输出脉冲的影响 | 第47-50页 |
| 3.3.2 样品串联时储能电容对输出脉冲的影响 | 第50-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 纳秒级电脉冲的触发机理 | 第55-63页 |
| 4.1 半绝缘GaAs样品的热击穿 | 第55-56页 |
| 4.2 纳秒级电脉冲的触发机理 | 第56-63页 |
| 4.2.1 半绝缘GaAs中的EL2电子俘获和深能级碰撞电离 | 第57-59页 |
| 4.2.2 半绝缘GaAs体雪崩样品的导通过程 | 第59-63页 |
| 5 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 附录 | 第70页 |