GaAs基Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管的关键特性研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 背景 | 第10页 |
| 1.2 自卷曲微米管及其研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 论文结构与安排 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-16页 |
| 第二章 制备自卷曲微米管的基本理论 | 第16-26页 |
| 2.1 层应变薄膜结构对成管方向的影响 | 第16页 |
| 2.2 应变薄膜截面晶向对成管行为的影响 | 第16-17页 |
| 2.3 自卷曲微米管直径的理论估算 | 第17-24页 |
| 2.3.1 宏观连续机械模型 | 第17-20页 |
| 2.3.2 半导体自卷曲微米管的直径分析模型 | 第20-24页 |
| 参考文献 | 第24-26页 |
| 第三章 GaAs基自卷曲微米管的制备及其结构特性 | 第26-52页 |
| 3.1 自卷曲微米管的基本制备过程 | 第27-28页 |
| 3.1.1 Ⅲ-Ⅴ族应变薄膜的MOCVD外延生长 | 第27页 |
| 3.1.2 自卷曲微米管的关键制备步骤 | 第27-28页 |
| 3.2 自卷曲微米管的三种典型制备方式 | 第28-34页 |
| 3.2.1 独立矩形结构 | 第28-30页 |
| 3.2.2 光刻胶束缚实现定向 | 第30-31页 |
| 3.2.3 U型定向卷曲结构 | 第31-34页 |
| 3.3 自卷曲微米管的转移技术 | 第34-35页 |
| 3.3.1 超声法 | 第34-35页 |
| 3.3.2 直接转移法 | 第35页 |
| 3.4 影响应变薄膜成管行为的关键因素 | 第35-47页 |
| 3.4.1 矩形结构的几何效应 | 第35-41页 |
| 3.4.2 干燥方式 | 第41-44页 |
| 3.4.3 应变薄膜厚度 | 第44-45页 |
| 3.4.4 牺牲层的侧蚀速率 | 第45-46页 |
| 3.4.5 成管的临界状态研究 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 GaAs基自卷曲微米管光学特性研究 | 第52-60页 |
| 4.1 微米管的PL谱测试分析 | 第52-53页 |
| 4.2 自卷曲微米管环形谐振腔光学模式仿真 | 第53-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第64页 |
