激光辅助Ga滴迁移行为的研究
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 引言—纳米半导体材料 | 第9-11页 |
| 1.2 零维量子点、量子环研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 零维量子点、量子环的制备方法 | 第12-18页 |
| 1.3.1 自上而下的生长方法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 自下而上的生长方法 | 第14-16页 |
| 1.3.3 液滴外延的生长方法 | 第16-18页 |
| 1.4 纳米液滴的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.4.1 高真空系统中直接沉积方法 | 第18-19页 |
| 1.4.2 聚焦离子束轰击诱导方法 | 第19页 |
| 1.4.3 高真空系统中高温退火方法 | 第19页 |
| 1.5 液滴的应用 | 第19-21页 |
| 1.5.1 液滴外延生长量子环 | 第20-21页 |
| 1.5.2 液滴自催化纳米线 | 第21页 |
| 1.6 论文研究的意义和本文的内容安排 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第二章 实验技术简介 | 第29-42页 |
| 2.1 分子束外延（MBE）技术 | 第29-31页 |
| 2.2 分子束外延（MBE）设备 | 第31-35页 |
| 2.2.1 超高真空系统 | 第32页 |
| 2.2.2 外延生长系统 | 第32-33页 |
| 2.2.3 原位监测系统 | 第33-35页 |
| 2.3 原子力显微镜（AFM） | 第35-37页 |
| 2.4 实验光路的搭建 | 第37-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 原位脉冲激光对金属Ga滴迁移的影响 | 第42-56页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 原位辐照Ga滴实验 | 第43-44页 |
| 3.3 实验结果分析与讨论 | 第44-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第四章 温度对金属Ga滴迁移的影响 | 第56-64页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 样品生长 | 第56-57页 |
| 4.3 实验结果分析与讨论 | 第57-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
