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化合物半导体
金属局域表面等离子体修饰的ZnO异质结紫外光发射器件研究
SiC吸附极性分子诱导Lorenz电路的机理分析
基于四边固支矩形膜结构的碳化硅（SiC）杨氏模量测量方法研究
Co掺杂ZnO基稀磁半导体研究
4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计
溴化铊探测器晶片表面化学处理和欧姆电极研究
Al/Ga共掺ZnO纳米阵列光学性质的研究
Sb2Se3薄膜的制备及光电性质的研究
Al纳米粒子对ZnO薄膜光致发光特性影响的研究
6H-SiC载流子双极输运动力学的瞬态光栅实验研究
静水压力下氧化亚铜电子结构的理论研究
Cu2CdSnSe4化合物的合成及热电性能研究
MOVPE生长GaN的表面反应研究
低维宽带隙Ⅱ-Ⅵ半导体材料的制备及性能的研究
具有多凹陷源/漏漂移区的4H-SiC MESFETs设计与仿真
应变ZnO能带结构研究
GaN材料应变沿表面法线分布信息的XRD测量方法研究
氮离子注入对4H-SiC MOS系统界面特性的影响
超晶格AlGaN沟道异质结特性研究
CuSCN和Cu2O纳米结构薄膜的制备及性能研究
基于氧化锌的材料和纳米器件研究
Fe改性TiO2及其光催化与光电化学性能研究
RF磁控溅射ZnO薄膜和掺钛ZnO薄膜材料制备及特性研究
氮化铝掺杂的第一性原理研究与体单晶的制备
新型Cu2ZnSnS4材料的制备及其光催化性能的研究
氧化锌p型掺杂系统的第一性原理研究
基于碲化锌晶体光学整流及电光采样的太赫兹时域光谱系统
离子液体辅助沉积Cu2ZnSnS4薄膜
Zn掺杂三元化合物GaAlAs2的电子结构和光学性质的研究
MistCVD法沉积ZnO薄膜及其特性研究
氧化锌纳米线的水热生长及光纤传感研究
氮化铟及二氧化锡半导体纳米材料的制备及物性研究
反射Z-扫描方法测量半导体InN的光学非线性
铜锌锡硫基光电阴极的制备及其光电化学性能的研究
复合氧化物气敏材料及传感器信号非线性研究
碳化硅超声—电化学抛光仿真与研抛实验研究
碳化硅MOSFET器件建模及一体化驱动技术研究
La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱影响的研究
InAlGaN四元合金薄膜生长与表征的研究
掺杂ZnO半导体磁性及其光学性质研究
氧化锌/石墨烯复合回音壁模微腔受激辐射研究
Al衬底上PLD外延组分可控AlGaN
钆掺杂氧化锌薄膜和器件的性质研究
GaAs及GaAs1-x-yNxBiy四元半导体材料的第一性原理研究
多孔衬底上HVPE生长GaN单晶的研究
磁控溅射法制备硅碳氮薄膜及其性能研究
石墨衬底上制备SiC薄膜的研究
ZnSe量子点的制备及其环分布的表征
GaP表面的等离激元结构及光化学加工方法研究
硫化锌（ZnS）量子点的制备及特性研究
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