| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 纳米科技的基本概念 | 第13-14页 |
| 1.3 纳米材料的基本特性 | 第14-16页 |
| 1.3.1 小尺寸效应 | 第14页 |
| 1.3.2 量子尺寸效应 | 第14-15页 |
| 1.3.3 宏观量子隧穿效应 | 第15页 |
| 1.3.4 表面效应 | 第15-16页 |
| 1.4 一维纳米材料的合成方法 | 第16-20页 |
| 1.4.1 气相生长法 | 第17-18页 |
| 1.4.2 气相法中的两种主要生长机制 | 第18-19页 |
| 1.4.3 液相法 | 第19-20页 |
| 1.4.4 固相法 | 第20页 |
| 1.5 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料的应用 | 第20-31页 |
| 1.5.1 生物荧光标记 | 第21页 |
| 1.5.2 红外激光器 | 第21-24页 |
| 1.5.3 发光二极管 | 第24-25页 |
| 1.5.4 太阳能电池 | 第25-26页 |
| 1.5.5 红外探测器 | 第26-28页 |
| 1.5.6 场效应晶体管 | 第28-29页 |
| 1.5.7 纳米热电器件 | 第29-31页 |
| 1.6 本论文的研究目的、研究内容及意义 | 第31-35页 |
| 1.6.1 研究目的和意义 | 第31-33页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第33-35页 |
| 第2章 InP 纳米线及其与 InP 量子点复合结构的合成和光、电性质 | 第35-48页 |
| 2.1 研究背景及意义 | 第35-36页 |
| 2.2 InP 纳米线的合成与光、电性质 | 第36-42页 |
| 2.2.1 合成 | 第36-37页 |
| 2.2.2 样品表征和测试用仪器 | 第37页 |
| 2.2.3 形貌、成分和结构分析 | 第37-38页 |
| 2.2.4 光致发光 | 第38-39页 |
| 2.2.5 形成机理 | 第39页 |
| 2.2.6 晶体管特性 | 第39-42页 |
| 2.3 InP 纳米线量子点复合结构的合成和光学性质 | 第42-46页 |
| 2.3.1 合成 | 第42页 |
| 2.3.2 样品表征和测试用仪器 | 第42页 |
| 2.3.3 形貌表征 | 第42-43页 |
| 2.3.4 成分分析 | 第43页 |
| 2.3.5 结构分析 | 第43-44页 |
| 2.3.6 光学特性 | 第44-46页 |
| 2.3.7 形成机理 | 第46页 |
| 2.4 本章总结 | 第46-48页 |
| 第3章 InAs 纳米线的合成和光、电、热特性 | 第48-58页 |
| 3.1 研究背景与意义 | 第48页 |
| 3.2 InAs 纳米线的合成和光、电特性 | 第48-53页 |
| 3.2.1 合成 | 第48-49页 |
| 3.2.2 样品表征和测试用仪器 | 第49页 |
| 3.2.3 结构、形貌和成分分析 | 第49-51页 |
| 3.2.4 光致发光 | 第51-52页 |
| 3.2.5 晶体管特性 | 第52-53页 |
| 3.3 InAs 纳米线直径依赖的热导率 | 第53-57页 |
| 3.3.1 测试用仪器 | 第53页 |
| 3.3.2 制样 | 第53页 |
| 3.3.3 测试过程 | 第53-54页 |
| 3.3.4 结果分析与讨论 | 第54-57页 |
| 3.4 本章总结 | 第57-58页 |
| 第4章 组分可调的 InAs_xP_(1-x)纳米线的合成和选择性光探测 | 第58-72页 |
| 4.1 研究背景与意义 | 第58-59页 |
| 4.2 InAs_xP_(1-x)纳米线的合成和光致发光 | 第59-65页 |
| 4.2.1 合成 | 第59页 |
| 4.2.2 样品表征和测试用仪器 | 第59-60页 |
| 4.2.3 形貌、组分与结构 | 第60-63页 |
| 4.2.4 光致发光 | 第63-64页 |
| 4.2.5 形成机理 | 第64-65页 |
| 4.3 InAs_xP_(1-x)纳米线光电响应特性 | 第65-70页 |
| 4.3.1 光探测器的制备 | 第65页 |
| 4.3.2 测试用仪器 | 第65页 |
| 4.3.3 结果分析与讨论 | 第65-70页 |
| 4.4 本章总结 | 第70-72页 |
| 第5章 GaSb及其组分部分可调的InGaAsSb合金纳米线的合成和光致发光 | 第72-79页 |
| 5.1 研究背景与意义 | 第72页 |
| 5.2 GaSb 纳米线的合成和光致发光 | 第72-76页 |
| 5.2.1 合成 | 第72-73页 |
| 5.2.2 样品表征和测试用仪器 | 第73页 |
| 5.2.3 形貌、结构和成分分析 | 第73-75页 |
| 5.2.4 温度依赖的光致发光 | 第75-76页 |
| 5.3 组分部分可调的 InGaAsSb 合金纳米线的合成和光致发光 | 第76-78页 |
| 5.3.1 合成 | 第76-77页 |
| 5.3.2 样品表征和测试用仪器 | 第77页 |
| 5.3.3 形貌、成分和光致发光 | 第77-78页 |
| 5.4 本章总结 | 第78-79页 |
| 结论与展望 | 第79-82页 |
| 参考文献 | 第82-98页 |
| 附录 A 攻读学位期间已发表和投出论文 | 第98-100页 |
| 附录 B 攻读学位期间申请的专利 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
