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化合物半导体
砷化物半导体MBE原位脉冲激光表面辐照的研究
宽带隙半导体材料CdM2X4（M=Ga,Al X=S,Se）光电特性理论研究
直流阴极弧蒸发沉积掺杂TiO2薄膜的制备技术、结构与性能研究
射频磁控溅射制备TiO2及其在钙钛矿太阳能电池中的研究
基于芬顿反应的单晶SiC集群磁流变化学复合抛光研究
修饰贵金属对二氧化锡半导体材料气体敏感性质研究分析
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构的合成和光电性质研究
AlInGaN多量子阱发光材料的制备与光电性能研究
铟（铜）-氮共掺p型氧化锌薄膜的制备和性能研究
N-X共掺ZnO薄膜p型导电的形成机制与稳定性研究
ZnO纳米线合成及其等离子体改性研究
基于谐振法的高温环境下SiC微尺度杨氏模量测试
基于芬顿反应的单晶SiC化学腐蚀层纳米力学特性研究
高In组分InGaAs/InP异质生长微观结构和性能研究
Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe低维量子结构的光电性质研究
硫属Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体纳米晶的制备及其光学性质的研究
飞秒激光加工SiC表面粗糙度控制模型研究
InGaN纳米材料的制备及其发光特性的研究
InGaAs纳米结构的制备及光电特性研究
锑化镓单晶生长工艺研究
超声波辅助乙酸溶液球磨制备金属氧化物纳米粉末的研究
Li、Al掺杂SnO2稀磁材料的结构及磁、光、电特性的研究
InP基材料掺杂及组分调制现象的实验研究
碳化硅RSD器件关键工艺探索
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构能谱及其调控
GaN和ZnO的自组织生长行为研究及其器件应用
稀土掺杂ZnO纳米光电材料的制备及光电特性研究
溶胶凝胶法制备纳米ZnO及其光催化性能的研究
氧化物半导体/TiO2分级纳米结构的制备及其气敏性能研究
ZnO薄膜及其异质结的制备与研究
SiC单晶线锯切片微裂纹损伤深度及翘曲度有限元分析
碳化硅纳米线的电化学储能研究
环境湿度及刻蚀温度对砷化镓摩擦诱导纳米加工的影响研究
磷化锡及其改性纳微米材料的制备、表征与性能研究
金属和非金属共掺锐钛矿相二氧化钛的第一性原理研究
纳米ZnO的电化学制备、掺杂及性能研究
氢化物气相外延生长GaN厚膜的计算优化与实验研究
激光原位图形化诱导分子束外延生长半导体Ⅲ-Ⅴ族材料的探索和研究
激光分子束外延生长GaN薄膜
MOVPE生长GaN的表面吸附和扩散研究
GaN外延材料三维图形化结构的制备与特性研究
GaN基渐变背势垒双异质结生长研究
微波制备碳化硅及其电磁屏蔽性能研究
ZnO基材料及探测器特性研究
载能离子辐照引起GaAs和InGaN光学特性变化的研究
ZnS掺杂的第一性原理研究
GaN掺杂第一性原理研究
CdO多晶块体热电性能优化研究
磁控溅射制备ZnO波导层及Love波湿度传感器的研究
钒掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体生长及其缺陷和光电性能研究
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