| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第12-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-48页 |
| 2.1 ZnO的基本性质 | 第16-24页 |
| 2.1.1 ZnO的晶体结构 | 第16-18页 |
| 2.1.2 ZnO的能带结构 | 第18-19页 |
| 2.1.3 ZnO的光学性能 | 第19-23页 |
| 2.1.4 ZnO的电学性能 | 第23-24页 |
| 2.2 ZnO的p型导电 | 第24-28页 |
| 2.2.1 非掺杂p型ZnO | 第25-26页 |
| 2.2.2 受主元素掺杂 | 第26-28页 |
| 2.2.3 共掺杂 | 第28页 |
| 2.3 ZnO的能带工程及其p型掺杂 | 第28-33页 |
| 2.3.1 ZnO的能带工程 | 第29-31页 |
| 2.3.2 势垒材料的p型掺杂 | 第31-33页 |
| 2.4 ZnO基发光器件 | 第33-41页 |
| 2.4.1 同质结 | 第33-36页 |
| 2.4.2 异质结 | 第36-38页 |
| 2.4.3 多量子阱有源层器件 | 第38-41页 |
| 2.5 金属表面等离激元增强ZnO发光 | 第41-45页 |
| 2.5.1 金属表面等离激元简介 | 第42-43页 |
| 2.5.2 金属表面等离激元增强ZnO材料发光研究进展 | 第43-45页 |
| 2.6 本文的研究思路 | 第45-48页 |
| 第三章 实验原理、生长工艺及测试表征手段 | 第48-54页 |
| 3.1 实验设备 | 第48-51页 |
| 3.1.1 分子束外延 | 第48-50页 |
| 3.1.2 离子溅射 | 第50页 |
| 3.1.3 电子束蒸发 | 第50-51页 |
| 3.1.4 快速热退火炉 | 第51页 |
| 3.2 生长工艺 | 第51-53页 |
| 3.2.1 MBE原材料 | 第51-52页 |
| 3.2.2 衬底清洗和预处理 | 第52页 |
| 3.2.3 外延生长工艺 | 第52-53页 |
| 3.3 测试表征手段 | 第53-54页 |
| 第四章 Pt纳米颗粒增强ZnO光致发光研究 | 第54-76页 |
| 4.1 前言 | 第54-55页 |
| 4.2 Pt纳米颗粒提高ZnO发光性能的机制分析 | 第55-65页 |
| 4.2.1 ZnO薄膜的结构与性能表征 | 第55-58页 |
| 4.2.2 Pt纳米颗粒对ZnO薄膜发光性能的影响 | 第58-60页 |
| 4.2.3 Pt纳米颗粒提高ZnO发光性能的机制 | 第60-65页 |
| 4.3 Pt纳米颗粒提高p-ZnO薄膜发光性能 | 第65-70页 |
| 4.3.1 p-ZnO薄膜的制备及性能表征 | 第66-67页 |
| 4.3.2 Pt纳米颗粒提高p-ZnO薄膜发光性能 | 第67-70页 |
| 4.4 Pt纳米颗粒提高非极性ZnO/ZnMgO多量子阱的发光性能 | 第70-74页 |
| 4.4.1 非极性ZnO/ZnMgO多量子阱的制备及其发光性能 | 第71-73页 |
| 4.4.2 Pt提高非极性ZnO/ZnMgO多量子阱内量子效率 | 第73-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 Be辅助ZnMgO合金p型掺杂机制研究 | 第76-96页 |
| 5.1 前言 | 第76-77页 |
| 5.2 ZnMgBeO能带结构研究 | 第77-86页 |
| 5.2.1 能带带阶测试方法和原理 | 第77-78页 |
| 5.2.2 ZnMgO/ZnMgBeO异质结能带带阶 | 第78-86页 |
| 5.3 Be源温度对ZnMgBeO薄膜性能的影响 | 第86-93页 |
| 5.3.1 ZnMgBeO薄膜制备及结构表征 | 第87-90页 |
| 5.3.2 ZnMgBeO薄膜表面形貌分析 | 第90-91页 |
| 5.3.3 ZnMgBeO薄膜光电性能分析 | 第91-93页 |
| 5.4 本章小结 | 第93-96页 |
| 第六章 ZnO/ZnMgO多量子阱有源层发光器件研制 | 第96-122页 |
| 6.1 前言 | 第96-97页 |
| 6.2 p-GaN衬底的结构性能表征 | 第97-103页 |
| 6.2.1 晶体质量 | 第97-99页 |
| 6.2.2 表面形貌 | 第99页 |
| 6.2.3 电学性能 | 第99-103页 |
| 6.2.4 光学性能 | 第103页 |
| 6.3 p-GaN上外延生长ZnO薄膜 | 第103-114页 |
| 6.3.1 氧流量对ZnO外延薄膜质量的影响 | 第104-107页 |
| 6.3.2 缓冲层对ZnO外延薄膜质量的影响 | 第107-110页 |
| 6.3.3 Zn源温度对ZnO外延薄膜质量的影响 | 第110-114页 |
| 6.4 ZnO/ZnMgO多量子阱器件研制 | 第114-120页 |
| 6.4.1 ZnMgO薄膜的制备 | 第114-117页 |
| 6.4.2 ZnO/ZnMgO多量子阱的制备 | 第117-119页 |
| 6.4.3 ZnO/ZnMgO多量子阱器件 | 第119-120页 |
| 6.5 本章小结 | 第120-122页 |
| 第七章 结论 | 第122-126页 |
| 7.1 全文总结 | 第122-123页 |
| 7.2 本文主要创新点 | 第123-124页 |
| 7.3 未来工作展望 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-144页 |
| 致谢 | 第144-146页 |
| 个人简历 | 第146-148页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第148-150页 |
