当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
--
化合物半导体
InN以及高In组分InAIN材料的制备及相关器件的研究
镁锌氧薄膜及其器件的制备与性质研究
N掺杂对6H-SiC氧化速率特性的影响
CdTe薄膜在SrTiO3(111)衬底上的分子束外延及其光谱与光电性质研究
GaAs pHEMT可靠性测试研究
掺杂构型设计对InPBi电子结构的影响研究
大尺寸SiC单晶生长炉温场分布的研究
GaN基和ZnTe半导体材料的制备和光学特性研究
Ⅲ-Ⅴ族半导体雪崩光电二极管特性研究
二维Ⅳ-Ⅵ族半导体的可控合成及其光电性能研究
PLD方法制备ZnO薄膜及其结构和光学性能分析
ZnO量子点的有机羧酸修饰及发光机理
Fe3O4基异质结的微观结构、磁性和输运性质
CoFe2O4修饰四针ZnO的制备及其吸波性能研究
GaN基光电器件材料生长方法研究
SiC SBD的工艺研究及利用Silvaco模拟特性
ZnO:Mn稀磁半导体及P型ZnO:N薄膜的制备、结构和物性研究
电子辐照对大直径SI-GaAs单晶性能影响的研究
GaN单晶的HVPE生长及其应力和晶体取向研究
SiO2(AG)/ZnO的制备及其吸附和光催化性能研究
利用SiN_x插入层和新型图形化蓝宝石衬底提高GaN外延层质量的相关研究
射频磁控溅射ZnO薄膜及其性能的研究
ZnO纳米结构的制备及其微结构的表征
新型镉基半导体纳米结构的合成与光电性能研究
中空二氧化钛纳米球的制备及其光催化性能研究
ZnO纳米棒阵列的制备与发光性能的调控研究
氧化锌铝(AZO)粉体与陶瓷靶材的制备
Si基LED外延层中C、H、O污染的SIMS研究
Al(In,Ga)N/(In)GaN/GaN异质结材料电学性能的研究
稀磁半导体Li(Zn1-xMnx)P的制备和NMR研究
Ⅲ-Ⅴ族(GaN)和Ⅱ-Ⅵ族(ZnTe)半导体材料的制备及光学特性研究
InAlN/InGaN/(Al)GaN双异质结材料生长与特性研究
含硅量子点氮化硅薄膜的发光特性及载流子输运机理研究
MOCVD法制备的ZnO纳米结构薄膜特性及其发光器件研究
氧化物半导体纳米材料的合成、改性及气敏性能研究
InN薄膜的MBE法生长及其NiO组合异质结器件研究
层状二硫化钼化学气相沉积制备研究
SiC表面S钝化的工艺探索和研究
H2S钝化对SiC表面的影响
氧化镓异质外延薄膜结构与性质的关系研究
氧化锌超细颗粒及氧化锌薄膜的光电性能研究
氧化镓薄膜的制备及氢退火研究
ZnO一维纳米结构表界面势垒的硫化调控及其紫外光检测特性
掺杂原子对单层SnSe材料电学性质和磁学性质影响的第一性原理研究
具有多级孔道结构的纳米氧化锌片的制备及其性能研究
Nb:SrTiO3/ZnO外延异质结的整流效应研究
LPCVD法制备纳米TiO2薄膜能效研究及工艺参数优化
单层SnSe/过渡金属界面及掺杂SnSe薄膜的电子结构
TiO2/In2O3复合半导体异质结杀菌特性的研究
多孔SnO2和TiOx(x≤2)材料的制备、表征及光化学应用
上一页
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
下一页