| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-34页 |
| 1.1 ZnO材料的基本性质和制备方法 | 第9-13页 |
| 1.1.1 ZnO材料的基本特性 | 第9-11页 |
| 1.1.2 ZnO材料的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2 n-ZnO/p-GaN异质结的研究进展 | 第13-17页 |
| 1.3 VO_2薄膜材料的基本性质和制备方法 | 第17-22页 |
| 1.3.1 VO_2薄膜材料的基本性质 | 第17-19页 |
| 1.3.2 VO_2薄膜材料的制备方法 | 第19-22页 |
| 1.4 太赫兹光谱技术在半导体材料中的应用 | 第22-32页 |
| 1.4.1 太赫兹的基本性质及研究应用现状 | 第22-26页 |
| 1.4.2 太赫兹时域光谱技术在纳米半导体材料中的应用 | 第26-29页 |
| 1.4.3 VO_2材料在太赫兹技术中的研究现状 | 第29-32页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第32-34页 |
| 2 本论文中采用的制备与表征方法 | 第34-45页 |
| 2.1 制备方法 | 第34-39页 |
| 2.1.1 超声喷雾热分解(USP) | 第34-36页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积(PLD) | 第36-39页 |
| 2.2 表征方法 | 第39-45页 |
| 2.2.1 Ⅰ-Ⅴ曲线测试 | 第39页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第39-40页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第40-41页 |
| 2.2.4 霍尔效应测试 | 第41-42页 |
| 2.2.5 太赫兹时域光谱技术(THz-TDS) | 第42-45页 |
| 3 n-ZnO/ZnMgO/p-GaN异质结载流子的运输机制研究 | 第45-52页 |
| 3.1 引言 | 第45页 |
| 3.2 实验过程 | 第45-47页 |
| 3.3 变温Ⅰ-Ⅴ特性结果和分析 | 第47-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 4 c-和m-Al_2O_3衬底上生长的VO_2薄膜的太赫兹光谱研究 | 第52-57页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 实验过程 | 第52-53页 |
| 4.3 THz-TDS测试结果与讨论 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 5 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
