单晶碳化硅磁场辅助电化学机械研抛实验与机理研究
摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第10-18页 |
1.1 课题研究的背景和意义 | 第10-11页 |
1.2 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第11-16页 |
1.2.1 国外研究现状 | 第11-15页 |
1.2.2 国内研究现状 | 第15-16页 |
1.2.3 国内外文献综述的简析 | 第16页 |
1.3 主要研究内容 | 第16-18页 |
第二章 磁场辅助电化学机械研抛试验机的设计分析 | 第18-36页 |
2.1 试验机的结构及原理 | 第18-20页 |
2.1.1 研抛运动模块 | 第18-19页 |
2.1.2 辅助磁场模块 | 第19页 |
2.1.3 试件装载模块 | 第19-20页 |
2.2 试验机结构设计与ANSYS仿真分析 | 第20-25页 |
2.2.1 试验机结构设计 | 第20-21页 |
2.2.2 试验机静力分析 | 第21-23页 |
2.2.3 试验机模态分析 | 第23-25页 |
2.3 磁场辅助电化学机械研抛磁场仿真及结构设计 | 第25-31页 |
2.3.1 磁场基本方程 | 第25页 |
2.3.2 面域磁场提出 | 第25-27页 |
2.3.3 环形磁铁的仿真和结构优化 | 第27-29页 |
2.3.4 面域磁铁的仿真和结构优化 | 第29-31页 |
2.4 磁场辅助作用机理分析 | 第31-34页 |
2.4.1 磁场辅助对电化学反应的影响 | 第31-33页 |
2.4.2 磁场辅助形成柔性研磨垫 | 第33-34页 |
2.5 本章小结 | 第34-36页 |
第三章 磁场辅助电化学机械研抛CFD仿真分析 | 第36-50页 |
3.1 数值原理 | 第36-38页 |
3.1.1 自由面流动模型(VOF) | 第36-37页 |
3.1.2 多相流模型(DPM) | 第37-38页 |
3.1.3 多重滑移面 | 第38页 |
3.2 抛光过程的三维CFD仿真 | 第38-44页 |
3.2.1 仿真模型建立 | 第38-40页 |
3.2.2 边界条件和仿真条件 | 第40页 |
3.2.3 fluent仿真结果与讨论 | 第40-44页 |
3.3 去除率仿真计算 | 第44-48页 |
3.3.1 材料去除率模型建立 | 第44-46页 |
3.3.2 材料去除率数值模拟 | 第46-48页 |
3.4 本章小结 | 第48-50页 |
第四章 磁场辅助电化学机械研抛电场仿真分析 | 第50-65页 |
4.1 MAXWELL仿真模型建立 | 第50-51页 |
4.1.1 几何模型的建立 | 第50页 |
4.1.2 求解参数确定及网格划分 | 第50-51页 |
4.2 电场分布规律 | 第51-55页 |
4.2.1 电压分布 | 第51-53页 |
4.2.2 电流密度分布 | 第53-55页 |
4.3 抛光垫对研抛表面电场的影响 | 第55-58页 |
4.3.1 电压分布情况对比 | 第55-56页 |
4.3.2 电流密度分布情况对比 | 第56-58页 |
4.4 抛光垫小孔分布对研抛表面电场的影响 | 第58-61页 |
4.4.1 电压分布情况对比 | 第58-60页 |
4.4.2 电流密度分布情况对比 | 第60-61页 |
4.5 电化学电极损失仿真 | 第61-64页 |
4.5.1 仿真模型建立及网格划分 | 第61-62页 |
4.5.2 仿真结果讨论与分析 | 第62-64页 |
4.6 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 研抛实验与结果分析 | 第65-82页 |
5.1 数据采集系统搭建 | 第65-68页 |
5.1.1 传感器的标定 | 第65-66页 |
5.1.2 采集参数的处理 | 第66-67页 |
5.1.3 采集系统设计 | 第67-68页 |
5.2 普通研抛实验与实验结果分析 | 第68-73页 |
5.2.1 SIC/400 | 第68-69页 |
5.2.2 研磨实验效果 | 第69-71页 |
5.2.3 抛光实验效果 | 第71-73页 |
5.3 外场增效研抛实验和摩擦磨损规律 | 第73-80页 |
5.3.1 电化学研抛实验效果分析 | 第73-75页 |
5.3.2 磁场下电化学研抛实验结果及分析 | 第75-77页 |
5.3.3 磁性研抛液下的实验结果及分析 | 第77-79页 |
5.3.4 晶片研抛表面形貌分析 | 第79-80页 |
5.4 本章小结 | 第80-82页 |
结论 | 第82-84页 |
参考文献 | 第84-89页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第89-91页 |
致谢 | 第91页 |