摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-13页 |
1.1 SiC表面重构钝化的研究目的和现状 | 第9-11页 |
1.2 第一性原理在材料方面的应用 | 第11-12页 |
1.3 本课题的研究内容 | 第12-13页 |
2 研究与计算方法 | 第13-17页 |
2.1 密度泛函理论 | 第13-15页 |
2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第13-14页 |
2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第14页 |
2.1.3 交换关联泛函 | 第14-15页 |
2.2 收敛性测试 | 第15页 |
2.3 数值优化计算 | 第15-17页 |
3 S钝化 4H-SiC(0001)Si端表面重构分析 | 第17-33页 |
3.1 物理模型 | 第17页 |
3.2 参数调试 | 第17-19页 |
3.2.1 交换关联泛函 | 第17-18页 |
3.2.2 平面波展开截断能 | 第18页 |
3.2.3 K空间网格取样密度 | 第18-19页 |
3.3 理想表面模型的建立 | 第19-21页 |
3.3.1 平板层厚度测试 | 第19-20页 |
3.3.2 真空层厚度测试 | 第20页 |
3.3.3 固定原子层数 | 第20-21页 |
3.4 表面重构模型的建立 | 第21-22页 |
3.5 S钝化4H-SiC(0001)Si端两种表面重构的分析 | 第22-32页 |
3.5.1 吸附能分析 | 第22-23页 |
3.5.2 模型对比分析 | 第23-24页 |
3.5.3 键长键角分析 | 第24-25页 |
3.5.4 态密度对比分析 | 第25-27页 |
3.5.5 不同吸附率下的对比分析 | 第27-28页 |
3.5.6 键布居分析 | 第28-30页 |
3.5.7 电荷布居分析 | 第30-32页 |
3.6 两种表面重构结构的比较 | 第32页 |
3.7 本章小结 | 第32-33页 |
4 S钝化6H-SiC(0001)Si端表面重构分析 | 第33-43页 |
4.1 物理模型与参数选取 | 第33页 |
4.2 表面重构模型的建立 | 第33-34页 |
4.3 S钝化6H-SiC(0001)Si端两种表面重构的分析 | 第34-42页 |
4.3.1 吸附能分析 | 第34页 |
4.3.2 键长键角分析 | 第34-35页 |
4.3.3 态密度对比分析 | 第35-37页 |
4.3.4 不同吸附率下的对比分析 | 第37-39页 |
4.3.5 键布居分析 | 第39-41页 |
4.3.6 电荷布居分析 | 第41-42页 |
4.4 两种表面重构结构的比较 | 第42页 |
4.5 本章小结 | 第42-43页 |
5 S钝化3C-SiC(0001)Si端表面重构分析 | 第43-55页 |
5.1 物理模型和参数选取 | 第43页 |
5.1.1 物理模型 | 第43页 |
5.1.2 参数选取 | 第43页 |
5.2 表面重构模型的建立 | 第43-44页 |
5.3 S钝化3C-SiC(0001)Si端两种表面重构的分析 | 第44-52页 |
5.3.1 吸附能分析 | 第44页 |
5.3.2 键长键角分析 | 第44-45页 |
5.3.3 态密度对比分析 | 第45-48页 |
5.3.4 不同吸附率下的对比分析 | 第48-49页 |
5.3.5 键布居分析 | 第49-51页 |
5.3.6 电荷布居分析 | 第51-52页 |
5.4 两种表面重构结构的比较 | 第52页 |
5.5 不同构型SiC重构表面的吸附对比 | 第52-53页 |
5.6 本章小结 | 第53-55页 |
6 不同原子吸附Si(001)(2x1)重构表面的分析 | 第55-65页 |
6.1 物理模型和参数选取 | 第55-56页 |
6.1.1 物理模型 | 第55页 |
6.1.2 参数选取 | 第55-56页 |
6.2 表面重构模型的建立 | 第56页 |
6.3 吸附能分析 | 第56页 |
6.4 键长键角恢复情况 | 第56-58页 |
6.5 布居分析 | 第58-61页 |
6.5.1 键布居分析 | 第58-60页 |
6.5.2 电荷布居分析 | 第60-61页 |
6.6 态密度分析 | 第61-64页 |
6.7 本章小结 | 第64-65页 |
7 工作总结 | 第65-67页 |
7.1 研究结论 | 第65-66页 |
7.2 研究展望 | 第66-67页 |
致谢 | 第67-69页 |
参考文献 | 第69-73页 |
在校期间的学术成果 | 第73页 |