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S吸附对SiC表面重构影响的第一性原理研究

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-13页
    1.1 SiC表面重构钝化的研究目的和现状第9-11页
    1.2 第一性原理在材料方面的应用第11-12页
    1.3 本课题的研究内容第12-13页
2 研究与计算方法第13-17页
    2.1 密度泛函理论第13-15页
        2.1.1 Hohenberg-Kohn定理第13-14页
        2.1.2 Kohn-Sham方程第14页
        2.1.3 交换关联泛函第14-15页
    2.2 收敛性测试第15页
    2.3 数值优化计算第15-17页
3 S钝化 4H-SiC(0001)Si端表面重构分析第17-33页
    3.1 物理模型第17页
    3.2 参数调试第17-19页
        3.2.1 交换关联泛函第17-18页
        3.2.2 平面波展开截断能第18页
        3.2.3 K空间网格取样密度第18-19页
    3.3 理想表面模型的建立第19-21页
        3.3.1 平板层厚度测试第19-20页
        3.3.2 真空层厚度测试第20页
        3.3.3 固定原子层数第20-21页
    3.4 表面重构模型的建立第21-22页
    3.5 S钝化4H-SiC(0001)Si端两种表面重构的分析第22-32页
        3.5.1 吸附能分析第22-23页
        3.5.2 模型对比分析第23-24页
        3.5.3 键长键角分析第24-25页
        3.5.4 态密度对比分析第25-27页
        3.5.5 不同吸附率下的对比分析第27-28页
        3.5.6 键布居分析第28-30页
        3.5.7 电荷布居分析第30-32页
    3.6 两种表面重构结构的比较第32页
    3.7 本章小结第32-33页
4 S钝化6H-SiC(0001)Si端表面重构分析第33-43页
    4.1 物理模型与参数选取第33页
    4.2 表面重构模型的建立第33-34页
    4.3 S钝化6H-SiC(0001)Si端两种表面重构的分析第34-42页
        4.3.1 吸附能分析第34页
        4.3.2 键长键角分析第34-35页
        4.3.3 态密度对比分析第35-37页
        4.3.4 不同吸附率下的对比分析第37-39页
        4.3.5 键布居分析第39-41页
        4.3.6 电荷布居分析第41-42页
    4.4 两种表面重构结构的比较第42页
    4.5 本章小结第42-43页
5 S钝化3C-SiC(0001)Si端表面重构分析第43-55页
    5.1 物理模型和参数选取第43页
        5.1.1 物理模型第43页
        5.1.2 参数选取第43页
    5.2 表面重构模型的建立第43-44页
    5.3 S钝化3C-SiC(0001)Si端两种表面重构的分析第44-52页
        5.3.1 吸附能分析第44页
        5.3.2 键长键角分析第44-45页
        5.3.3 态密度对比分析第45-48页
        5.3.4 不同吸附率下的对比分析第48-49页
        5.3.5 键布居分析第49-51页
        5.3.6 电荷布居分析第51-52页
    5.4 两种表面重构结构的比较第52页
    5.5 不同构型SiC重构表面的吸附对比第52-53页
    5.6 本章小结第53-55页
6 不同原子吸附Si(001)(2x1)重构表面的分析第55-65页
    6.1 物理模型和参数选取第55-56页
        6.1.1 物理模型第55页
        6.1.2 参数选取第55-56页
    6.2 表面重构模型的建立第56页
    6.3 吸附能分析第56页
    6.4 键长键角恢复情况第56-58页
    6.5 布居分析第58-61页
        6.5.1 键布居分析第58-60页
        6.5.2 电荷布居分析第60-61页
    6.6 态密度分析第61-64页
    6.7 本章小结第64-65页
7 工作总结第65-67页
    7.1 研究结论第65-66页
    7.2 研究展望第66-67页
致谢第67-69页
参考文献第69-73页
在校期间的学术成果第73页

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