| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景及进展 | 第10-13页 |
| 1.2 本论文的章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 材料制备与表征技术 | 第15-31页 |
| 2.1 纳米图形衬底制备技术 | 第15-22页 |
| 2.1.1 传统光刻技术 | 第15-16页 |
| 2.1.2 纳米压印技术 | 第16-17页 |
| 2.1.3 阳极氧化铝(AAO)技术 | 第17-19页 |
| 2.1.4 嵌段聚合物技术 | 第19-20页 |
| 2.1.5 纳米小球技术 | 第20-22页 |
| 2.2 自组织量子点的制备技术 | 第22-24页 |
| 2.3 半导体材料生长与表征技术 | 第24-29页 |
| 2.3.0 金属有机化学气相沉积 | 第24-25页 |
| 2.3.1 原子力显微镜(AFM) | 第25-26页 |
| 2.3.2 光致发光(PL) | 第26-27页 |
| 2.3.3 透射电镜(TEM) | 第27-28页 |
| 2.3.4 扫描电镜(SEM) | 第28-29页 |
| 2.3.5 X射线衍射(XRD) | 第29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 利用SiO_2纳米小球制备GaAs图形衬底并用于InP/GaAs异变外延 | 第31-45页 |
| 3.1 方案简介 | 第31-32页 |
| 3.2 利用旋转涂覆法制备SiO_2纳米小球图形衬底 | 第32-38页 |
| 3.2.1 实验 | 第32-33页 |
| 3.2.2 粒径为100nm的SiO_2小球旋涂实验 | 第33-35页 |
| 3.2.3 粒径为300nm和460nm的SiO_2纳米小球旋涂实验 | 第35-38页 |
| 3.3 纳米图形衬底用于异变外延的相关理论 | 第38-39页 |
| 3.4 利用纳米图形衬底进行InP/GaAs异变外延生长 | 第39-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 InAs/GaAs自组织量子点的实验研究 | 第45-56页 |
| 4.1 单层量子点的生长实验 | 第45-49页 |
| 4.1.1 单层InAs量子点的生长结构 | 第45-46页 |
| 4.1.2 Ⅴ/Ⅲ比对InAs量子点生长的影响 | 第46-47页 |
| 4.1.3 InAs沉积厚度对量子点生长的影响 | 第47-48页 |
| 4.1.4 盖层对InAs量子点生长的影响 | 第48-49页 |
| 4.2 采用GaAsP应变补偿层的多层量子点生长实验 | 第49-54页 |
| 4.2.1 多层InAs量子点的生长结构 | 第49-50页 |
| 4.2.2 多层InAs量子点发光特性的优化 | 第50-54页 |
| 4.3 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 总结 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第62页 |
