| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 宽禁带半导体材料发展简介 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN材料的性质 | 第10-13页 |
| 1.3 GaN材料的制备方法 | 第13-15页 |
| 1.4 外延衬底 | 第15-18页 |
| 2 实验生长设备和测试技术 | 第18-33页 |
| 2.1 MOCVD设备介绍 | 第18-20页 |
| 2.2 论文所用生长方法及设备 | 第20-25页 |
| 2.3 表征技术 | 第25-33页 |
| 2.3.1 原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM) | 第26-28页 |
| 2.3.2 X射线衍射(X-ray diffraction,XRD) | 第28-30页 |
| 2.3.3 拉曼光谱(Raman spectra) | 第30-31页 |
| 2.3.4 光致发光谱(Photoluminescence,PL) | 第31-33页 |
| 3 蓝宝石和碳化硅衬底生长氮化镓外延层质量对比 | 第33-40页 |
| 3.1 前言 | 第33-34页 |
| 3.1.1 蓝宝石衬底的特点 | 第33页 |
| 3.1.2 碳化硅衬底的特点 | 第33-34页 |
| 3.2 实验过程 | 第34页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第34-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 | 第40-49页 |
| 4.1 前言 | 第40页 |
| 4.2 实验过程 | 第40-41页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第41-48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
