首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

基于侧向生长ZnO纳米杆的光电器件

论文创新点第5-6页
摘要第6-8页
Abstract第8-9页
引言第13-15页
第一章 绪论第15-40页
    1.1 一维纳米材料的内涵和特性第15-16页
        1.1.1 小尺寸效应第15页
        1.1.2 量子尺寸效应第15-16页
        1.1.3 宏观量子隧道效应第16页
        1.1.4 表面效应第16页
    1.2 ZnO纳米材料的基本研究现状第16-23页
        1.2.1 ZnO的晶体结构第16-19页
        1.2.2 ZnO纳米结构的制备第19-22页
            1.2.2.1 气相法第19-21页
            1.2.2.2 液相法第21-22页
        1.2.3 ZnO纳米结构的特殊性质第22-23页
    1.3 ZnO纳米结构的场致电子发射第23-31页
        1.3.1 场致电子发射的基本概念第23-27页
        1.3.2 场致电子发射的应用第27-29页
        1.3.3 常见的场发射阴极材料第29-30页
        1.3.4 影响ZnO场发射性能的主要因素第30-31页
    1.4 ZnO纳米结构在其它器件方面的应用第31-37页
        1.4.1 场效应晶体管第31-33页
        1.4.2 紫外光敏探测器第33页
        1.4.3 紫外激光器第33-35页
        1.4.4 电致变色器件第35-36页
        1.4.5 压电电子器件第36-37页
    1.5 本论文的研究内容及其意义第37-40页
第二章 氧化锌准一维纳米结构的制备第40-62页
    2.1 制备与表征方法第40-43页
        2.1.1 制备方法第40-42页
        2.1.2 使用的设备及表征仪器第42-43页
    2.2 实验结果第43-60页
        2.2.1 水热法方面第43-54页
            2.2.1.1 一般的水热法第43-47页
            2.2.1.2 两步变温水热法调节ZnO纳米杆密度第47-48页
            2.2.1.3 水热法实现ZnO纳米杆的边缘选择性生长第48-54页
        2.2.2 气相法方面第54-60页
            2.2.2.1 使用高质量ZnO薄膜作缓冲层第54-57页
            2.2.2.2 使用Au作催化剂第57-60页
    2.3 本章小节第60-62页
第三章 氧化锌准一维纳米结构的场致电子发射性能第62-105页
    3.1 场发射测试平台第62-64页
    3.2 目前ZnO纳米材料在场发射方面存在的问题第64-66页
    3.3 通过减弱电场屏蔽效应提高场发射性能第66-77页
        3.3.1 两步变温水热法调节ZnO纳米杆密度第67-69页
        3.3.2 边缘选择性生长调节ZnO纳米杆密度第69-77页
    3.4 与CNT复合提高场发射性能第77-93页
        3.4.1 利用水热法边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列为模板生长CNT第78-85页
        3.4.2 利用气相法生长的ZnO纳米杆为模板生长CNT第85-93页
    3.5 ZnO纳米杆的横向场发射第93-103页
    3.6 本章小节第103-105页
第四章 光电探测器及场效应晶体管第105-126页
    4.1 使用边缘选择性生长制备紫外探测器第105-115页
        4.1.1 探测器的设计和制备第105-109页
        4.1.2 器件性能及工作机理分析第109-115页
    4.2 使用介电泳获得紫外探测器第115-121页
        4.2.1 器件的设计和制备第115-117页
        4.2.2 器件的实际性能第117-120页
        4.2.3 器件的负微分电阻特性第120-121页
    4.3 使用边缘选择性生长制备场效应晶体管第121-124页
        4.3.1 晶体管的设计和制备第121-123页
        4.3.2 晶体管的性能表征第123-124页
    4.4 本章小节第124-126页
第五章 纳米氧化锌应力传感器第126-144页
    5.1 应力传感器的设计和制备第126-129页
    5.2 实际的器件性能第129-133页
    5.3 器件工作机理的分析第133-136页
    5.4 实用范例第136-137页
    5.5 机电整合逻辑电路第137-142页
    5.6 本章小结第142-144页
第六章 结论与展望第144-147页
参考文献第147-171页
博士期间发表论文及申请专利第171-176页
致谢第176页

论文共176页,点击 下载论文
上一篇:建筑楼面活荷载的小样本统计推断
下一篇:建筑秩序的回归