论文创新点 | 第5-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
引言 | 第13-15页 |
第一章 绪论 | 第15-40页 |
1.1 一维纳米材料的内涵和特性 | 第15-16页 |
1.1.1 小尺寸效应 | 第15页 |
1.1.2 量子尺寸效应 | 第15-16页 |
1.1.3 宏观量子隧道效应 | 第16页 |
1.1.4 表面效应 | 第16页 |
1.2 ZnO纳米材料的基本研究现状 | 第16-23页 |
1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第16-19页 |
1.2.2 ZnO纳米结构的制备 | 第19-22页 |
1.2.2.1 气相法 | 第19-21页 |
1.2.2.2 液相法 | 第21-22页 |
1.2.3 ZnO纳米结构的特殊性质 | 第22-23页 |
1.3 ZnO纳米结构的场致电子发射 | 第23-31页 |
1.3.1 场致电子发射的基本概念 | 第23-27页 |
1.3.2 场致电子发射的应用 | 第27-29页 |
1.3.3 常见的场发射阴极材料 | 第29-30页 |
1.3.4 影响ZnO场发射性能的主要因素 | 第30-31页 |
1.4 ZnO纳米结构在其它器件方面的应用 | 第31-37页 |
1.4.1 场效应晶体管 | 第31-33页 |
1.4.2 紫外光敏探测器 | 第33页 |
1.4.3 紫外激光器 | 第33-35页 |
1.4.4 电致变色器件 | 第35-36页 |
1.4.5 压电电子器件 | 第36-37页 |
1.5 本论文的研究内容及其意义 | 第37-40页 |
第二章 氧化锌准一维纳米结构的制备 | 第40-62页 |
2.1 制备与表征方法 | 第40-43页 |
2.1.1 制备方法 | 第40-42页 |
2.1.2 使用的设备及表征仪器 | 第42-43页 |
2.2 实验结果 | 第43-60页 |
2.2.1 水热法方面 | 第43-54页 |
2.2.1.1 一般的水热法 | 第43-47页 |
2.2.1.2 两步变温水热法调节ZnO纳米杆密度 | 第47-48页 |
2.2.1.3 水热法实现ZnO纳米杆的边缘选择性生长 | 第48-54页 |
2.2.2 气相法方面 | 第54-60页 |
2.2.2.1 使用高质量ZnO薄膜作缓冲层 | 第54-57页 |
2.2.2.2 使用Au作催化剂 | 第57-60页 |
2.3 本章小节 | 第60-62页 |
第三章 氧化锌准一维纳米结构的场致电子发射性能 | 第62-105页 |
3.1 场发射测试平台 | 第62-64页 |
3.2 目前ZnO纳米材料在场发射方面存在的问题 | 第64-66页 |
3.3 通过减弱电场屏蔽效应提高场发射性能 | 第66-77页 |
3.3.1 两步变温水热法调节ZnO纳米杆密度 | 第67-69页 |
3.3.2 边缘选择性生长调节ZnO纳米杆密度 | 第69-77页 |
3.4 与CNT复合提高场发射性能 | 第77-93页 |
3.4.1 利用水热法边缘选择性生长的ZnO纳米杆阵列为模板生长CNT | 第78-85页 |
3.4.2 利用气相法生长的ZnO纳米杆为模板生长CNT | 第85-93页 |
3.5 ZnO纳米杆的横向场发射 | 第93-103页 |
3.6 本章小节 | 第103-105页 |
第四章 光电探测器及场效应晶体管 | 第105-126页 |
4.1 使用边缘选择性生长制备紫外探测器 | 第105-115页 |
4.1.1 探测器的设计和制备 | 第105-109页 |
4.1.2 器件性能及工作机理分析 | 第109-115页 |
4.2 使用介电泳获得紫外探测器 | 第115-121页 |
4.2.1 器件的设计和制备 | 第115-117页 |
4.2.2 器件的实际性能 | 第117-120页 |
4.2.3 器件的负微分电阻特性 | 第120-121页 |
4.3 使用边缘选择性生长制备场效应晶体管 | 第121-124页 |
4.3.1 晶体管的设计和制备 | 第121-123页 |
4.3.2 晶体管的性能表征 | 第123-124页 |
4.4 本章小节 | 第124-126页 |
第五章 纳米氧化锌应力传感器 | 第126-144页 |
5.1 应力传感器的设计和制备 | 第126-129页 |
5.2 实际的器件性能 | 第129-133页 |
5.3 器件工作机理的分析 | 第133-136页 |
5.4 实用范例 | 第136-137页 |
5.5 机电整合逻辑电路 | 第137-142页 |
5.6 本章小结 | 第142-144页 |
第六章 结论与展望 | 第144-147页 |
参考文献 | 第147-171页 |
博士期间发表论文及申请专利 | 第171-176页 |
致谢 | 第176页 |