| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 自旋电子学简介 | 第8-9页 |
| 1.2 铁磁性半导体材料及研究进展 | 第9-10页 |
| 1.2.1 铁磁性半导体材料简介 | 第9页 |
| 1.2.2 铁磁性半导体研究进展 | 第9-10页 |
| 1.3 ZrO_2材料应用及发展进程 | 第10-11页 |
| 1.4 金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) | 第11-12页 |
| 1.5 材料中的缺陷 | 第12-13页 |
| 1.5.1 点缺陷的种类 | 第13页 |
| 1.5.2 点缺陷对晶体材料的影响 | 第13页 |
| 1.6 本论文研究内容及意义 | 第13-14页 |
| 1.7 本文的章节安排 | 第14-16页 |
| 第2章 理论研究方法与计算软件 | 第16-28页 |
| 2.1 第一性原理 | 第16-17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-21页 |
| 2.2.1 量子多体问题 | 第17-18页 |
| 2.2.2 波恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)绝热近似 | 第18页 |
| 2.2.3 哈特里-福克(Hartree-Fock)自洽场近似 | 第18-19页 |
| 2.2.4 Hohenberg-Kohn定理 | 第19页 |
| 2.2.5 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 2.2.6 交换相关泛函 | 第20-21页 |
| 2.3 赝势平面波方法 | 第21-22页 |
| 2.4 能带理论 | 第22-23页 |
| 2.4.1 能带结构 | 第22页 |
| 2.4.2 态密度 | 第22-23页 |
| 2.5 本文计算软件包简介 | 第23-26页 |
| 2.5.1 Material studio软件 | 第23页 |
| 2.5.2 VESTA软件 | 第23-24页 |
| 2.5.3 Origin软件 | 第24-25页 |
| 2.5.4 VASP软件 | 第25-26页 |
| 2.6 硬件支撑 | 第26-27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 完美ZrO_2体材料电子结构的研究和分析 | 第28-38页 |
| 3.1 ZrO_2晶体结构及其基本性质 | 第28-29页 |
| 3.2 研究内容及计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 计算模型和细节 | 第30-31页 |
| 3.4 计算结果及分析 | 第31-35页 |
| 3.4.1 完美ZrO_2的电子结构的结构分析 | 第31-33页 |
| 3.4.2 完美ZrO_2的态密度 | 第33-34页 |
| 3.4.3 完美ZrO_2的自旋密度分析 | 第34-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-38页 |
| 第4章 含缺陷ZrO_2体材料的电子结构的研究和分析 | 第38-52页 |
| 4.1 含VZr和VO的Zr O_2体材料的电子结构分析研究 | 第38-42页 |
| 4.1.1 含VZr的c-ZrO_2的电子结构和磁学性质 | 第38-40页 |
| 4.1.2 含VO的c-ZrO_2的电子结构和磁学性质 | 第40-42页 |
| 4.2 ZrO_2体材料掺杂缺陷的电子结构分析研究 | 第42-51页 |
| 4.2.1 Co掺杂c-ZrO_2的电子结构和磁性性质 | 第43-47页 |
| 4.2.2 Ni掺杂c-Zr O_2的电子结构和磁性性质 | 第47-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
