| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第10-11页 |
| 1.2 掺杂ZnO稀磁半导体的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.2.1 掺杂ZnO稀磁半导体的理论研究进展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 掺杂ZnO稀磁半导体的实验研究进展 | 第12页 |
| 1.3 交换相互作用 | 第12-15页 |
| 1.3.1 直接交换机制 | 第13页 |
| 1.3.2 RKKY交换机制 | 第13-14页 |
| 1.3.3 双交换机制 | 第14-15页 |
| 1.3.4 超交换机制 | 第15页 |
| 1.4 掺杂InP半导体的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.5 本文结构安排 | 第16-18页 |
| 第二章 计算方法及理论 | 第18-27页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第18-19页 |
| 2.2 基本理论 | 第19-24页 |
| 2.2.1 薛定谔方程 | 第19-20页 |
| 2.2.2 非相对论近似和绝热近似(Born-Oppenheimer) | 第20-21页 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.2.5 交换关联泛函 | 第23-24页 |
| 2.2.6 计算方法 | 第24页 |
| 2.3 计算使用软件及主要参数 | 第24-27页 |
| 第三章 V掺杂加H钝化ZnO半导体的磁性研究 | 第27-34页 |
| 3.1 加H钝化ZnO纳米线 | 第27-28页 |
| 3.1.1 加氢钝化ZnO纳米线模型的建立 | 第27-28页 |
| 3.1.2 加氢钝化ZnO纳米线的优化及态密度分析 | 第28页 |
| 3.2 掺杂V原子的加H钝化ZnO纳米线 | 第28-33页 |
| 3.2.1 掺杂V原子的加氢钝化ZnO纳米线模型 | 第28-29页 |
| 3.2.2 掺杂V原子的加氢钝化ZnO纳米线模型的计算 | 第29-32页 |
| 3.2.3 单轴应变对V掺杂ZnO纳米线磁性的影响 | 第32-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 Bi掺杂InP半导体的几何结构和电子性质的研究 | 第34-42页 |
| 4.1 InPBi的计算模型 | 第34-35页 |
| 4.2 InPBi模型的计算 | 第35-41页 |
| 4.2.1 InPBi模型的优化 | 第35-36页 |
| 4.2.2 InPBi模型的电子性质的计算 | 第36-38页 |
| 4.2.3 自旋轨道耦合对InPBi模型电子性质的影响 | 第38-40页 |
| 4.2.4 双轴应变对InPBi模型电子性质的影响 | 第40-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第53-54页 |
