| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题研究的背景及其进展 | 第8-9页 |
| 1.2 掺杂 ZnO 薄膜的研究状况 | 第9-11页 |
| 1.3 掺杂 ZnO 薄膜制备技术 | 第11-13页 |
| 1.4 本论文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 2 PLD 沉积 ZnO 薄膜技术 | 第15-32页 |
| 2.1 简要历史和概述 | 第15-16页 |
| 2.2 基本过程和等离子体检测 | 第16-20页 |
| 2.3 掺杂 ZnO 电学和光学性质 | 第20-27页 |
| 2.4 PLD 中氧压和基片温度对 ZnO 薄膜的影响 | 第27-29页 |
| 2.5 沉积 ZnO 的基片 | 第29-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 薄膜的制备工艺 | 第32-41页 |
| 3.1 靶材的制备 | 第32-35页 |
| 3.2 靶材的性能表征 | 第35-38页 |
| 3.3 掺杂 ZnO 薄膜制备 | 第38-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 4 薄膜的结构与性能表征 | 第41-50页 |
| 4.1 掺杂 ZnO 薄膜结晶性分析 | 第41-42页 |
| 4.2 掺杂 ZnO 薄膜光学性能分析 | 第42-48页 |
| 4.3 掺杂 ZnO 薄膜的电学性能分析 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 5 掺杂 ZnO 薄膜作为 SPP 调制器研究 | 第50-65页 |
| 5.1 单界面表面等离子体分析 | 第50-56页 |
| 5.2 双界面表面等离子体分析 | 第56-60页 |
| 5.3 MIM 结构的调制器分析 | 第60-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 6 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |