| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 论文结构安排 | 第14-15页 |
| 参考文献 | 第15-17页 |
| 第二章 Si基自卷曲InGaAs/GaAs微米管的制备 | 第17-35页 |
| 2.1 微米管结构的异变外延生长 | 第17-21页 |
| 2.1.1 MOCVD生长技术 | 第17-19页 |
| 2.1.2 异变外延生长细节 | 第19-21页 |
| 2.2 Si基自卷曲InGaAs/GaAs微米管的制备 | 第21-34页 |
| 2.2.1 主要制管方式 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验制备细节 | 第22-24页 |
| 2.2.3 Si基自卷曲InGaAs/GaAs微米管实验制备结果 | 第24-30页 |
| 2.2.4 微米管的几种转移技术 | 第30-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 Si基自卷曲InGaAs/GaAs微米管结构特性研究 | 第35-47页 |
| 3.1 关键测试技术介绍 | 第35-36页 |
| 3.1.1 扫描电子显微镜 | 第35页 |
| 3.1.2 原子力显微镜 | 第35-36页 |
| 3.2 自卷曲微米管结构特性介绍 | 第36-40页 |
| 3.2.1 应变方向对微米管卷曲行为的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2 晶向对微米管卷曲行为的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 几何尺寸对微米管卷曲行为的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.4 自卷曲微米管的直径 | 第39-40页 |
| 3.3 Si基自卷曲InGaAs/GaAs微米管的结构特性 | 第40-45页 |
| 3.3.1 结构特性的基本表现 | 第40-41页 |
| 3.3.2 与相同结构的GaAs基微米管结构特性的对比 | 第41-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 Si基自卷曲InGaAs/GaAs微米管光学特性研究 | 第47-59页 |
| 4.1 光致发光技术介绍 | 第47-48页 |
| 4.2 自卷曲微米管光学特性介绍 | 第48-54页 |
| 4.2.1 Ⅲ-Ⅴ族自卷曲微米管微米管的光学特性介绍 | 第48-53页 |
| 4.2.2 自卷曲微米管的光子器件应用 | 第53-54页 |
| 4.3 Si基自卷曲InGaAs/GaAs微米管的PL谱测试结果 | 第54-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59页 |
| 5.2 展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文和申请专利 | 第63页 |
