| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 课题来源及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.1.1 课题来源 | 第8页 |
| 1.1.2 研究目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 材料加工领域分子动力学研究现状 | 第9-15页 |
| 1.2.1 国外相关领域研究现状 | 第9-11页 |
| 1.2.2 国内相关领域研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.3 国内外文献综述及不足 | 第14-15页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 碳化硅CMP过程的分子动力学基本理论及建模 | 第16-23页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 分子动力学方法基本理论 | 第16-17页 |
| 2.3 碳化硅CMP分子动力学模型建立 | 第17-21页 |
| 2.3.1 仿真规模的确定及宏观模型建立 | 第17-19页 |
| 2.3.2 仿真势函数的选取 | 第19-20页 |
| 2.3.3 边界与系综的选择 | 第20-21页 |
| 2.3.4 仿真参数的设置 | 第21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-23页 |
| 第3章 碳化硅CMP过程仿真及结果分析 | 第23-35页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 磨粒压入、刻划过程仿真结果分析 | 第23-30页 |
| 3.2.1 磨粒压痕实验仿真 | 第23-24页 |
| 3.2.2 工件与磨粒形貌变化分析 | 第24-26页 |
| 3.2.3 仿真过程材料结构变化分析 | 第26-28页 |
| 3.2.4 仿真过程温度变化分析 | 第28页 |
| 3.2.5 仿真过程磨粒受力变化分析 | 第28-29页 |
| 3.2.6 仿真过程势能变化分析 | 第29-30页 |
| 3.3 抛光参数对碳化硅CMP过程影响的仿真分析 | 第30-34页 |
| 3.3.1 不同刻划速度对仿真结果的影响 | 第30-31页 |
| 3.3.2 不同刻划深度对仿真结果的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.3 不同磨粒大小对仿真结果的影响 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第4章 碳化硅CMP过程外界影响的结果分析 | 第35-50页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 SIC表层氧化膜加工的仿真结果及分析 | 第35-39页 |
| 4.2.1 无定型二氧化硅刻划仿真建模 | 第35-37页 |
| 4.2.2 无定型二氧化硅氧化膜刻划仿真形貌分析 | 第37-38页 |
| 4.2.3 无定型二氧化硅刻划宏观量分析 | 第38-39页 |
| 4.3 超声振动对加工影响的仿真分析 | 第39-47页 |
| 4.3.1 仿真模型建立及振动参数选择 | 第39-41页 |
| 4.3.2 超声振动影响的仿真结果及分析 | 第41-44页 |
| 4.3.3 超声振动频率的影响分析 | 第44-45页 |
| 4.3.4 超声振动振幅的影响分析 | 第45-46页 |
| 4.3.5 超声振动对材料去除率的影响分析 | 第46-47页 |
| 4.4 弛豫对加工影响的仿真分析 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 碳化硅压痕与刻划实验 | 第50-58页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 碳化硅纳米压痕实验 | 第50-52页 |
| 5.2.1 实验设备及实验原理 | 第50-51页 |
| 5.2.2 纳米压痕实验结果 | 第51-52页 |
| 5.3 碳化硅纳米刻划实验 | 第52-54页 |
| 5.3.1 斜坡加载刻划实验 | 第52-54页 |
| 5.3.2 恒力加载刻划实验 | 第54页 |
| 5.4 碳化硅宏观刻划实验 | 第54-57页 |
| 5.4.1 实验系统介绍 | 第54-56页 |
| 5.4.2 不同载荷下碳化硅刻划摩擦力分析 | 第56-57页 |
| 5.4.3 不同载荷下碳化硅刻划形貌分析 | 第57页 |
| 5.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |