| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| TABLE OF CONTENTS | 第10-13页 |
| 图目录 | 第13-16页 |
| 表目录 | 第16-17页 |
| 主要符号表 | 第17-18页 |
| 1 绪论 | 第18-32页 |
| 1.1 石墨的性质、应用、研究进展及存在的主要问题 | 第19-22页 |
| 1.1.1 石墨的基本特性 | 第19-20页 |
| 1.1.2 石墨的应用领域 | 第20-21页 |
| 1.1.3 石墨的研究进展及存在的主要问题 | 第21-22页 |
| 1.2 ZnO的性质、应用、研究进展及存在的主要问题 | 第22-26页 |
| 1.2.1 ZnO的基本特性 | 第22-24页 |
| 1.2.2 ZnO的应用领域 | 第24-25页 |
| 1.2.3 ZnO的研究进展及存在的主要问题 | 第25-26页 |
| 1.3 SiC的性质、应用、研究进展及存在的主要问题 | 第26-29页 |
| 1.3.1 SiC的基本特性 | 第26-28页 |
| 1.3.2 SiC的应用领域 | 第28页 |
| 1.3.3 SiC的研究进展及存在的主要问题 | 第28-29页 |
| 1.4 本论文的选题意义及主要研究内容 | 第29-32页 |
| 2 本论文采用的制备方法和表征技术 | 第32-39页 |
| 2.1 主要制备方法 | 第32-35页 |
| 2.1.1 超声喷雾热解法 | 第32页 |
| 2.1.2 水热法 | 第32页 |
| 2.1.3 电子束蒸发法 | 第32-33页 |
| 2.1.4 磁控溅射法 | 第33页 |
| 2.1.5 热丝化学气相沉积法 | 第33-34页 |
| 2.1.6 真空蒸发法 | 第34页 |
| 2.1.7 退火 | 第34-35页 |
| 2.2 表征技术 | 第35-39页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第35-36页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第36页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第36页 |
| 2.2.4 光致发光谱 | 第36-37页 |
| 2.2.5 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第37页 |
| 2.2.6 傅立叶变换红外光谱 | 第37-38页 |
| 2.2.7 拉曼光谱 | 第38-39页 |
| 3 石墨衬底上ZnO薄膜的制备及表征 | 第39-56页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 石墨衬底的表征 | 第40-45页 |
| 3.2.1 石墨衬底的结构特性 | 第40-42页 |
| 3.2.2 石墨衬底的光学特性 | 第42-45页 |
| 3.3 ZnO薄膜的生长和优化 | 第45-55页 |
| 3.3.1 超声喷雾热解法制备ZnO薄膜及其生长机理 | 第45-48页 |
| 3.3.2 ZnO薄膜的结构特性 | 第48页 |
| 3.3.3 生长温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 3.3.4 生长时间对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| 3.3.5 衬底温度对ZnO薄膜光致发光特性的影响 | 第50-51页 |
| 3.3.6 生长时间对ZnO薄膜光致发光特性的影响 | 第51-52页 |
| 3.3.7 ZnO薄膜SERS增强衬底的制备及其性能 | 第52-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 4 石墨衬底上ZnO纳米棒的制备及表征 | 第56-66页 |
| 4.1 引言 | 第56-57页 |
| 4.2 ZnO纳米棒的生长和优化 | 第57-65页 |
| 4.2.1 水热法制备ZnO纳米棒及其生长机理 | 第57-59页 |
| 4.2.2 ZnO籽晶的晶体质量和表面形貌 | 第59-60页 |
| 4.2.3 生长时间对ZnO纳米棒表面形貌的影响 | 第60-61页 |
| 4.2.4 ZnO纳米棒的晶体质量 | 第61-62页 |
| 4.2.5 ZnO纳米棒的光学质量 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-66页 |
| 5 ZnO/SiO_2/石墨复合结构的制备及其性能 | 第66-79页 |
| 5.1 引言 | 第66-67页 |
| 5.2 ZnO/SiO_2/石墨复合结构的制备及优化 | 第67-71页 |
| 5.2.1 电子束蒸发法制备SiO_2薄膜及其表征 | 第67-69页 |
| 5.2.2 磁控溅射法制备ZnO薄膜及其表征 | 第69-71页 |
| 5.3 ZnO/SiO_2/石墨结构器件的性能表征 | 第71-78页 |
| 5.3.1 ZnO/SiO_2/石墨结构器件的I-V特性 | 第71-74页 |
| 5.3.2 ZnO/SiO_2/石墨结构器件的导热特性 | 第74-76页 |
| 5.3.3 ZnO/SiO_2/石墨结构器件的C-V特性 | 第76-78页 |
| 5.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 6 石墨衬底上β-SiC薄膜的制备及其性能研究 | 第79-94页 |
| 6.1 引言 | 第79-80页 |
| 6.2 β-SiC简介 | 第80-82页 |
| 6.3 β-SiC薄膜的制备及优化 | 第82-92页 |
| 6.3.1 热丝化学气相沉积法制备β-SiC薄膜及其生长机理 | 第82-85页 |
| 6.3.2 退火对β-SiC薄膜成膜质量的影响 | 第85-86页 |
| 6.3.3 β-SiC基MOS器件的制备工艺流程 | 第86-88页 |
| 6.3.4 SiO_2/β-SiC/石墨复合结构的表征 | 第88-91页 |
| 6.3.5 β-SiC基MOS器件的I-V特性 | 第91-92页 |
| 6.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 7 结论与展望 | 第94-99页 |
| 7.1 结论与创新点 | 第94-96页 |
| 7.2 创新点摘要 | 第96-97页 |
| 7.3 展望 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-111页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-114页 |
| 作者简介 | 第114页 |
