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材料
FTO透明导电薄膜表面处理及其复合膜的研究
半导体晶体材料放电切割特性及弯丝控制技术研究
InGaP/GaAs HBT伽马辐照效应研究
透明栅AlGaN/GaN HEMT器件制备及特性分析
GaN材料位错按深度分布的表征及位错与点缺陷关系的研究
近晶格匹配InAlN/GaN材料结晶质量和电学特性相关性研究
SiN应力膜研究与工艺实现
辐射加热GaN-MOCVD反应室温度场仿真与设计
掺杂石墨烯的电子结构与光学性质研究
氧化铅薄膜的制备及其X射线光电导特性的研究
PECVD设备加热系统分析及优化
晶体生长辅助控制系统的研究
Ge/Si异质结及其光电探测器特性研究
ZnO微米花与铋系半导体的制备及光催化性能研究
连续激光作用下半导体材料热效应的数值分析
MOCVD多通道高温测量系统的研制
同步辐射光电发射方法研究ZnO基稀磁半导体带隙杂化电子态及其磁性关联
基于小分子掺杂的高分子有机半导体光伏器件性能研究
RPCVD生长应变Si/应变SiGe薄膜的研究
氮化镓异质结电子辐照行为的研究
大直径硅单晶生长过程中固/液界面形状的数值分析
界面钝化对Gd2O3掺杂HfO2高k薄膜电性能影响的研究
非化学计量比CaCu3Ti4O12陶瓷电性能研究
TiO2基低压压敏陶瓷材料的制备与性能研究
硅衬底GaN光学性能及芯片出光效率的研究
生长条件对硅衬底GaN薄膜中C、H、O杂质浓度影响的研究
TiO2、MgO基底氧化锡外延薄膜的结构和光电性质研究
ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质结构的外延制备与物性研究
3d过渡金属掺杂有机小分子半导体的特性研究
碳化硅和蓝宝石衬底二氧化锡外延薄膜的制备及特性研究
宽禁带半导体材料的电子结构与性质研究
高功率TaN薄膜及集成电阻器的研究
碲锌镉像素阵列核探测器研究分析
晶体相场方法研究晶体外延生长界面结构与位错的迁移
有机分子晶体中载流子迁移特性的理论研究
畸变氧八面体中3d~6离子磁能级与载流子钝化机理研究
化学气相沉积法制备石墨烯及其光电性能研究
NiO薄膜的制备及其光学特性的研究
2°GaAs衬底生长高质量GaP外延层的研究
高性能ZnO纳米薄膜的制备及其在反型有机太阳能电池中的应用研究
SiC基石墨烯材料制备及表征技术研究
Si基应变材料制备技术研究
单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究
单轴应变Si材料价带结构研究
基于SiC外延石墨烯工艺及Raman表征
GaN-MOCVD反应室的CFD数值模拟计算
零偏4H-SiC衬底上同质外延生长和表征技术研究
氮化镓材料的不同极性面拉曼光谱分析
GaN/AlN超晶格半导体材料的脉冲MOCVD生长以及表征研究
GaN基外延材料缺陷与应变分析及缺陷抑制方法研究
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