| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 引言 | 第10-17页 |
| ·课题研究背景 | 第10-11页 |
| ·GaN的应用 | 第11-12页 |
| ·GaN基发光器件 | 第11页 |
| ·GaN基电子器件 | 第11-12页 |
| ·GaN的生长 | 第12-13页 |
| ·GaN外延层的微结构特征 | 第13-14页 |
| ·电子辐照对GaN外延层的影响 | 第14-15页 |
| ·非故意掺杂GaN外延层的黄光及蓝光 | 第15-16页 |
| ·课题研究目的、意义和主要内容 | 第16-17页 |
| 2 GaN外延层表征方法与原理 | 第17-23页 |
| ·光致发光谱法(PL) | 第17-19页 |
| ·自由激子跃迁发光 | 第17-18页 |
| ·束缚激子复合跃迁发光 | 第18页 |
| ·二电子跃迁发光 | 第18-19页 |
| ·本征带-缺陷能级复合跃迁发光 | 第19页 |
| ·施主-受主对复合跃迁发光 | 第19页 |
| ·X射线衍射法(XRD) | 第19-20页 |
| ·透射电子显微镜法(TEM) | 第20-21页 |
| ·卢瑟福背散射法(RBS) | 第21-22页 |
| ·电子背散射衍射法(EBSD) | 第22-23页 |
| 3 实验 | 第23-28页 |
| ·GaN外延层的生长 | 第23页 |
| ·电子辐照实验 | 第23页 |
| ·卢瑟福背散射/沟道实验 | 第23-24页 |
| ·光致发光谱实验 | 第24-25页 |
| ·X射线衍射实验 | 第25页 |
| ·透射电子显微镜实验 | 第25-27页 |
| ·电子背散射衍射实验 | 第27-28页 |
| 4 电子辐照对GaN外延层发光机制的影响 | 第28-41页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·生长态GaN外延层蓝光受主的验证 | 第28-34页 |
| ·生长态GaN外延层低温近带边谱线标定及施主能级分析 | 第28-29页 |
| ·GaN外延层的禁带宽度分析 | 第29-30页 |
| ·蓝光受主的分析 | 第30-32页 |
| ·RBS/C结果 | 第32-33页 |
| ·蓝光受主的验证 | 第33-34页 |
| ·电子辐照对GaN黄光、蓝光复合中心的影响 | 第34-37页 |
| ·电子辐照对GaN外延层黄光的影响 | 第37-40页 |
| ·DAP跃迁、导带至受主能级跃迁发光强度随温度的变化 | 第38-39页 |
| ·不同温度下黄光强度变化规律异常原因的分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 5 电子辐照对GaN外延层微结构的影响 | 第41-55页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·电子辐照诱导GaN外延层应变弛豫的机制 | 第41-49页 |
| ·2MeV电子辐照对GaN外延层失配应变的影响 | 第42-44页 |
| ·弹性原子链松弛模型对辐照诱导GaN外延层应变弛豫的解释 | 第44-46页 |
| ·1MeV、1.7MeV电子辐照对GaN外延层失配应变的影响 | 第46-49页 |
| ·电子辐照GaN外延层的高分辨电子显微分析 | 第49-52页 |
| ·电子辐照对GaN外延层位错密度的影响 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
