| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·AIGaInP LED的发展和现状 | 第8-10页 |
| ·黄绿光AIGaInP LED的结构和发光原理 | 第10-11页 |
| ·GaP的基本性质 | 第11-12页 |
| ·本论文工作安排 | 第12-14页 |
| 第二章 行星式MOCVD的系统 | 第14-22页 |
| ·外延生长技术 | 第14页 |
| ·行星式MOCVD的系统 | 第14-17页 |
| ·行星式MOCVD的反应室 | 第17-18页 |
| ·行星式MOCVD反应室的结构 | 第18-19页 |
| ·MOCVD的金属有机化合物源 | 第19-20页 |
| ·MOCVD的生长 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 MOCVD生长GaP的研究 | 第22-27页 |
| ·GaP作为电流扩展层 | 第22页 |
| ·衬底材料的选择 | 第22-24页 |
| ·GaAs衬底上的GaP生长 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 实验及结论 | 第27-47页 |
| ·温度对GaP生长的研究 | 第27-33页 |
| ·低温低速GaP生长的研究 | 第33-38页 |
| ·高温高速GaP生长的研究 | 第38-43页 |
| ·2°GaAs衬底和15°GaAs衬底上的生长对比 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 总结 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |