单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究

摘要	第1-7页
Abstract	第7-12页
第一章 绪论	第12-20页
·研究背景和意义	第12页
·应变硅技术发展概况	第12-18页
·应变硅的类别及应力引入方法	第12-16页
·单/双轴应变硅比较	第16-17页
·国内外研究进展	第17-18页
·本文研究内容及章节安排	第18-20页
第二章 半导体能带分析方法	第20-36页
·半导体能带基本分析方法	第20-23页
·k·p 微扰法	第23-27页
·非简并微扰论	第24-26页
·简并微扰论	第26-27页
·体硅导带结构 k·p 微扰法研究	第27-28页
·体硅价带结构 k·p 微扰法研究	第28-34页
·本章小结	第34-36页
第三章 单轴应变硅导带结构研究	第36-60页
·单轴应变硅导带 E~k 关系	第36-38页
·单轴应变硅导带结构与应力及晶向关系	第38-44页
·[100]方向应力致应变硅导带结构与晶向关系	第38-41页
·[110]方向应力致应变硅导带结构与晶向关系	第41-43页
·[111]方向应力致应变硅导带结构与晶向关系	第43-44页
·单轴应变硅导带能谷底能级	第44-48页
·[100]方向应力致应变硅导带能谷底能级	第45-46页
·[110]方向应力致应变硅导带能谷底能级	第46-47页
·[111]方向应力致应变硅导带能谷底能级	第47-48页
·单轴应变硅电子有效质量	第48-58页
·[100]方向应力致应变硅电子有效质量	第48-52页
·[110]方向应力致应变硅电子有效质量	第52-56页
·[111]方向应力致应变硅电子有效质量	第56-58页
·本章小结	第58-60页
第四章 单轴应变硅价带结构研究	第60-78页
·单轴应变硅价带 E~k 关系	第60-63页
·单轴应变硅价带结构与应力及晶向关系	第63-66页
·单轴应变硅价带顶能级	第66-68页
·单轴应变硅空穴有效质量	第68-77页
·单轴应变硅空穴各向异性有效质量	第68-72页
·单轴应变硅价带等能面	第72-76页
·单轴应变硅空穴各向同性有效质量	第76-77页
·本章小结	第77-78页
第五章 单轴应变硅载流子迁移率研究	第78-102页
·单轴应变硅载流子散射机制	第78-82页
·单轴应变硅电子散射模型	第78-81页
·单轴应变硅空穴散射模型	第81-82页
·单轴应变硅电子/空穴迁移率模型	第82-83页
·单轴应变硅电子迁移率	第83-93页
·单轴应变硅电子态密度有效质量	第83-84页
·单轴应变硅电子电导率有效质量	第84-87页
·单轴应变硅电子散射几率	第87-89页
·单轴应变硅电子迁移率与应力及晶向关系	第89-92页
·单轴应变硅电子迁移率与杂质浓度关系	第92-93页
·单轴应变硅空穴迁移率	第93-101页
·单轴应变硅空穴态密度有效质量	第94页
·单轴应变硅空穴电导率有效质量	第94-96页
·单轴应变硅空穴散射几率	第96-98页
·单轴应变硅空穴迁移率与应力及晶向关系	第98-100页
·单轴应变硅空穴迁移率与杂质浓度关系	第100-101页
·本章小结	第101-102页
第六章 单轴应变锗基本物理参数研究	第102-120页
·单轴应变锗导带底/价带顶能级	第102-107页
·单轴应变锗导带能谷底能级模型	第102-103页
·单轴应变锗价带顶能级模型	第103-104页
·单轴应变锗导带能谷底/价带顶能级	第104-107页
·单轴应变锗有效质量	第107-112页
·单轴应变锗空穴各向异性有效质量	第108-110页
·单轴应变锗空穴各向同性有效质量	第110-112页
·单轴应变锗空穴态密度有效质量	第112页
·单轴应变锗有效状态密度及本征载流子浓度	第112-115页
·导带有效状态密度	第112-113页
·价带有效状态密度	第113-114页
·本征载流子浓度	第114-115页
·单轴应变锗空穴迁移率	第115-118页
·本章小结	第118-120页
第七章 结论	第120-124页
致谢	第124-126页
参考文献	第126-138页
攻博期间研究成果	第138-140页
附录	第140-145页