| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 文献综述 | 第11-32页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·X 射线探测器发展概述 | 第11-15页 |
| ·胶片成像 | 第11-12页 |
| ·计算机 X 射线成像术（CR） | 第12-13页 |
| ·数字 X 射线成像术（DR） | 第13-15页 |
| ·从 X 射线转换层的角度分析 DR | 第13-14页 |
| ·从信号检测器的角度分析 DR | 第14-15页 |
| ·直接转换 X 射线探测材料 | 第15-20页 |
| ·光电导的基本原理 | 第15-17页 |
| ·X 射线光电导材料的要求 | 第17页 |
| ·X 射线光电导材料 | 第17-20页 |
| ·非晶硒（a-Se） | 第18页 |
| ·碘化汞（HgI2） | 第18-19页 |
| ·碘化铅（PbI2） | 第19-20页 |
| ·碲锌镉（CdZnTe，CZT） | 第20页 |
| ·PbO 的基本性质和应用 | 第20-24页 |
| ·PbO 的基本性质 | 第21页 |
| ·PbO 的应用 | 第21-24页 |
| ·光存储器件 | 第22页 |
| ·氧化铅靶摄像管 | 第22-23页 |
| ·X 射线探测与成像 | 第23-24页 |
| ·氧化物薄膜的制备工艺 | 第24-31页 |
| ·真空蒸发镀膜法（VE） | 第24-25页 |
| ·化学气相沉积（CVD） | 第25-27页 |
| ·溶胶-凝胶法（Sol-gel） | 第27-28页 |
| ·喷雾热解法（SP） | 第28-29页 |
| ·激光脉冲沉积（PLD） | 第29-30页 |
| ·磁控溅射法（MS） | 第30-31页 |
| ·本课题研究的内容和意义 | 第31-32页 |
| 第2章 薄膜的制备及其表征技术 | 第32-43页 |
| ·直流反应磁控溅射 | 第32-38页 |
| ·溅射镀膜原理 | 第32-35页 |
| ·辉光放电 | 第32-33页 |
| ·溅射特性和机理 | 第33-34页 |
| ·溅射离子成膜过程 | 第34-35页 |
| ·直流磁控溅射的原理 | 第35-37页 |
| ·直流磁控溅射的基本原理 | 第35-36页 |
| ·直流磁控溅射的特点 | 第36-37页 |
| ·直流磁控溅射系统 | 第37-38页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第38-42页 |
| ·薄膜晶体结构的测试 | 第38-40页 |
| ·薄膜光学性质的测试 | 第40页 |
| ·薄膜表面形貌的分析 | 第40-41页 |
| ·薄膜光电导特性的分析 | 第41页 |
| ·薄膜元素成分的分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第3章 PbO 薄膜的制备及其光学性能 | 第43-53页 |
| ·薄膜制备准备工作 | 第43页 |
| ·PbO 薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·PbO 薄膜的光学性能 | 第44-52页 |
| ·PbO 薄膜的透射谱 | 第44-46页 |
| ·PbO 薄膜的折射率 | 第46-48页 |
| ·PbO 薄膜的厚度 | 第48-50页 |
| ·PbO 薄膜的吸收系数和消光系数 | 第50-51页 |
| ·PbO 薄膜的禁带宽度 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 PbO 薄膜的 X 射线光电导特性研究 | 第53-67页 |
| ·氧流量对 PbO 薄膜性能的影响 | 第53-56页 |
| ·不同氧流量对 PbO 薄膜晶体结构的影响 | 第53-55页 |
| ·不同氧流量对 PbO 薄膜 X 射线光电导的影响 | 第55-56页 |
| ·退火温度对 PbO 薄膜性能的影响 | 第56-59页 |
| ·退火温度对 PbO 薄膜晶体结构的影响 | 第56-57页 |
| ·退火温度对 PbO 薄膜 X 射线光电导的影响 | 第57-59页 |
| ·沉积时间对 PbO 薄膜晶体结构的影响 | 第59-61页 |
| ·PbO 薄膜的表面形貌和成分分析 | 第61-66页 |
| ·PbO 薄膜的表面形貌分析 | 第61-63页 |
| ·PbO 薄膜的成分分析 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 结论 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录 | 第73-74页 |
| 详细摘要 | 第74-79页 |