辐射加热GaN-MOCVD反应室温度场仿真与设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·MOCVD技术的概述 | 第8-13页 |
| ·MOCVD技术的发展背景 | 第8-10页 |
| ·MOCVD的原理 | 第10-11页 |
| ·MOCVD设备简介 | 第11-13页 |
| ·MOCVD设备的研究现状 | 第13-14页 |
| ·国际现状 | 第13-14页 |
| ·国内现状 | 第14页 |
| ·本文行文安排 | 第14-16页 |
| 第二章 数学模型 | 第16-28页 |
| ·传热学以及辐射加热的基本原理 | 第16-19页 |
| ·有限元方法 | 第19-20页 |
| ·有限元方法简介 | 第19页 |
| ·COMSOL Multiphysics软件 | 第19-20页 |
| ·几何模型的建立 | 第20-23页 |
| ·一些假设和物性参数 | 第23-24页 |
| ·边界条件 | 第24-26页 |
| ·仿真过程和计算结果 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 加热器的设计 | 第28-44页 |
| ·辐射加热器的形状 | 第28-31页 |
| ·多片式辐射加热器的位置确定 | 第31-33页 |
| ·加热器调节曲线峰值的研究 | 第33-42页 |
| ·调节曲线概念的提出 | 第33-34页 |
| ·单个加热器单独工作模型 | 第34页 |
| ·加热器加热功率影响 | 第34-37页 |
| ·加热器的位置的影响 | 第37-38页 |
| ·加热器宽度(相对大小)的影响 | 第38-40页 |
| ·调节曲线峰值研究的结论和应用 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 石墨盘的设计 | 第44-56页 |
| ·石墨盘设计介绍 | 第44-46页 |
| ·石墨盘材料设计 | 第44页 |
| ·石墨盘结构设计 | 第44-46页 |
| ·石墨盘热学性质的影响 | 第46-47页 |
| ·SiC涂层的影响 | 第46页 |
| ·烤盘BAKE的影响 | 第46-47页 |
| ·热学性质研究给我们的启示 | 第47页 |
| ·凸缘(Rim)结构的研究 | 第47-54页 |
| ·衬底的形变 | 第48-49页 |
| ·Rim结构原理 | 第49页 |
| ·八寸普通Rim结构温度场仿真 | 第49-50页 |
| ·改进型Rim结构 | 第50-52页 |
| ·改进型Rim结构槽深确定 | 第52-53页 |
| ·改进型Rim结构对于不同温度的稳定性 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-60页 |
| ·总结 | 第56-57页 |
| ·展望 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 论文期间参加的项目与研究成果 | 第66页 |
