| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·研究目的和意义 | 第9-10页 |
| ·研究现状 | 第10-11页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第11-15页 |
| 第二章 HBT 及其辐照效应 | 第15-25页 |
| ·InGaP/GaAs HBT 工作原理 | 第15-19页 |
| ·器件结构 | 第15-16页 |
| ·工作原理 | 第16-19页 |
| ·HBT 辐射研究 | 第19-20页 |
| ·辐射环境 | 第19页 |
| ·HBT 辐照损伤机理 | 第19-20页 |
| ·HBT 模型研究 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-25页 |
| 第三章 InGaP/GaAs HBT γ辐照实验研究 | 第25-39页 |
| ·γ辐照实验 | 第25-28页 |
| ·辐照实验 | 第25-26页 |
| ·电学特性测试 | 第26-28页 |
| ·实验结果分析 | 第28-37页 |
| ·Gummel 特性测试结果 | 第28-33页 |
| ·频率特性 | 第33-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 修正的 VBIC 模型 | 第39-61页 |
| ·VBIC 模型研究 | 第39-41页 |
| ·建立简化的 VBIC 模型 | 第41-52页 |
| ·简化的 VBIC 模型 | 第41-42页 |
| ·电阻参数提取 | 第42-44页 |
| ·电流参数提取 | 第44-46页 |
| ·电容参数提取 | 第46-49页 |
| ·渡越时间函数参数提取 | 第49-50页 |
| ·模型整体拟合 | 第50-52页 |
| ·修正的 InGaP/GaAs HBT 模型 | 第52-59页 |
| ·辐照前、后和退火后参数值比较 | 第52-53页 |
| ·基极电流修正 | 第53-57页 |
| ·渡越时间函数修正 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结束语 | 第61-65页 |
| ·论文的研究成果 | 第61-62页 |
| ·分析了 InGaP/T 的γ辐照效应 | 第61页 |
| ·建立了简化的 VBIC 模型 | 第61-62页 |
| ·修正了 VBIC 模型 | 第62页 |
| ·InGaP/GaAs HBT 辐照研究展望 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 研究成果 | 第71-72页 |