| 作者简介 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| ·研究背景和意义 | 第13-14页 |
| ·石墨烯材料 | 第14-20页 |
| ·碳基材料(Carbon-based materials) | 第14-16页 |
| ·石墨烯(graphene) | 第16-19页 |
| ·石墨烯衍生物 | 第19-20页 |
| ·石墨烯的性质 | 第20-28页 |
| ·石墨烯的力学性质 | 第20页 |
| ·石墨烯的热学性质 | 第20页 |
| ·石墨烯的电学性质 | 第20-28页 |
| ·石墨烯的其他性质 | 第28页 |
| ·国内外研究现状 | 第28-30页 |
| ·基础理论方面 | 第28-29页 |
| ·实验和应用方面 | 第29-30页 |
| ·石墨烯的制备方法和存在问题 | 第30-34页 |
| ·微机械剥离石墨法(Micro-mechanical exfoliation of graphite) | 第30-31页 |
| ·金属衬底的化学气相沉积法(Chemcal Vapor Deposition on Metal Substrates,CVD) | 第31-32页 |
| ·氧化石墨还原法(Reduced Graphite Oxide,RGO) | 第32页 |
| ·在碳化硅衬底上外延生长石墨烯(Epitaxial Growth of Graphene on SiCSubstrates) | 第32-33页 |
| ·石墨烯的其他制备方法 | 第33-34页 |
| ·本课题的立项依据和主要研究内容 | 第34-35页 |
| ·本课题的立项依据 | 第34-35页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第二章 在SiC衬底上外延石墨烯的生长机理和表征技术 | 第37-63页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·碳化硅基石墨烯材料的生长机理 | 第37-52页 |
| ·SiC衬底的性质 | 第38-40页 |
| ·在SiC衬底外延石墨烯生长机理 | 第40-42页 |
| ·工艺路线 | 第42-52页 |
| ·SiC基石墨烯材料的表征方法 | 第52-62页 |
| ·SiC基石墨烯材料的确认 | 第53-58页 |
| ·SiC基石墨烯材料的尺寸表征 | 第58页 |
| ·SiC基石墨烯材料的层厚表征 | 第58-61页 |
| ·SiC基石墨烯材料的形貌表征 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第三章 氢刻蚀工艺探索 | 第63-79页 |
| ·实验 | 第63-70页 |
| ·SiC外延生长设备 | 第63-64页 |
| ·SiC衬底 | 第64-66页 |
| ·衬底清洗 | 第66-67页 |
| ·4H-SiC衬底硅面(0001)氢刻蚀工艺 | 第67页 |
| ·6H-SiC硅面(0001)和碳面(0001)氢刻蚀工艺 | 第67-68页 |
| ·Raman光谱实验的数据处理 | 第68-70页 |
| ·结果分析 | 第70-78页 |
| ·形貌结构分析 | 第70-73页 |
| ·氢刻蚀后形成石墨烯结构分析 | 第73-78页 |
| ·小结 | 第78-79页 |
| 第四章 生长温度对于外延石墨烯形成的影响 | 第79-89页 |
| ·实验 | 第79-81页 |
| ·结果分析 | 第81-86页 |
| ·小结 | 第86-89页 |
| 第五章 在4H-SiC衬底(0001)面制备大面积石墨烯工艺研究 | 第89-95页 |
| ·实验 | 第89-91页 |
| ·结果分析 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-95页 |
| 第六章 结束语 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-113页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第113-114页 |
