单轴应变Si材料价带结构研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·Si 基应变技术 | 第7-8页 |
| ·Si 基微电子技术面临的挑战 | 第7页 |
| ·Si 基应变技术 | 第7-8页 |
| ·Si 基应变技术研究发展状况 | 第8-13页 |
| ·应变 SiGe | 第8-9页 |
| ·应变 Si | 第9-13页 |
| ·本论文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 应变 SI 技术 | 第15-23页 |
| ·应变 Si 晶格结构 | 第15-17页 |
| ·应力引入技术 | 第17-19页 |
| ·衬底致双轴应变 | 第17-18页 |
| ·工艺致单轴应变 | 第18-19页 |
| ·应力测试技术 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 应变 SI 价带结构模型研究 | 第23-43页 |
| ·应变张量模型 | 第23-30页 |
| ·应变张量模型 | 第23-28页 |
| ·应变张量通解 | 第28页 |
| ·(001)、(101)、(111)面应变张量 | 第28-30页 |
| ·定态微扰理论 | 第30-33页 |
| ·非简并能级 | 第30-32页 |
| ·简并能级 | 第32-33页 |
| ·应变 Si 价带结构模型 | 第33-42页 |
| ·形变势模型 | 第34页 |
| ·K P 哈密顿模型 | 第34-37页 |
| ·应变 Si 价带结构模型 | 第37-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 应变 SI 价带能级研究分析 | 第43-59页 |
| ·应变 Si 价带能级 | 第43-56页 |
| ·应变 Si 价带 Γ 处能级 | 第43-49页 |
| ·应变 Si 价带能级与晶面/晶向及应力 | 第49-53页 |
| ·应变 Si 价带带边等能图 | 第53-56页 |
| ·单轴与双轴应变 Si 价带结构比较 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 研究成果 | 第67-68页 |
