| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·碳化硅材料的结构和特性 | 第7-10页 |
| ·碳化硅材料的发展及研究现状 | 第10-12页 |
| ·4H-SiC同质外延工艺存在的问题 | 第12-13页 |
| ·本文的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 碳化硅水平热壁CVD外延生长技术 | 第15-27页 |
| ·碳化硅材料制备技术综述 | 第15-20页 |
| ·高温升华法(PVT) | 第15-16页 |
| ·液相外延(LPE) | 第16-17页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第17-19页 |
| ·化学气相淀积(CVD) | 第19-20页 |
| ·碳化硅水平热壁CVD外延工艺 | 第20-26页 |
| ·VP508 水平热壁CVD外延设备 | 第20-22页 |
| ·工艺流程 | 第22-23页 |
| ·工艺参数 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 零偏 4H-SiC衬底上同质外延生长工艺的研究 | 第27-38页 |
| ·实验设计 | 第27-29页 |
| ·关键工艺分析 | 第29-33页 |
| ·原位刻蚀 | 第29-30页 |
| ·初始生长条件 | 第30-31页 |
| ·生长温度和C/Si | 第31-33页 |
| ·生长机制 | 第33-35页 |
| ·实验结论及改进 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 零偏 4H-SiC衬底上同质外延薄膜的表征 | 第38-49页 |
| ·原子力显微镜 | 第38-39页 |
| ·Raman散射光谱分析 | 第39-41页 |
| ·X射线衍射 | 第41-43页 |
| ·汞探针C-V法测试 | 第43-45页 |
| ·熔融KOH腐蚀观测分析缺陷 | 第45-48页 |
| ·熔融KOH腐蚀SiC原理 | 第45页 |
| ·腐蚀实验设计 | 第45-46页 |
| ·缺陷的观测分析 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结束语 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 研究成果 | 第57-58页 |