| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-16页 |
| ·GaN 基材料特性与发展 | 第10-11页 |
| ·半导体中的缺陷 | 第11-12页 |
| ·GaN 基器件应用及缺陷的影响 | 第12-16页 |
| ·氮化物电子器件 | 第12-13页 |
| ·氮化物光电器件 | 第13-16页 |
| 第二章 实验手段 | 第16-30页 |
| ·生长 | 第16-18页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第18-24页 |
| ·缺陷密度的估算 | 第20-21页 |
| ·晶格常数及应力应变的精确计算 | 第21-22页 |
| ·三元化合物的组分计算 | 第22-23页 |
| ·X 射线镜面反射（X-Ray Reflectivity, XRR） | 第23页 |
| ·斜切角（miscut）的确定 | 第23-24页 |
| ·薄膜曲率的计算 | 第24页 |
| ·光学表征 | 第24-26页 |
| ·光致发光谱（Photoluminescence, PL） | 第24-25页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第25-26页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第26页 |
| ·霍尔效应测试（Hall Effect Measurement） | 第26-27页 |
| ·电子显微镜（Electron Microscope, EM） | 第27-30页 |
| ·透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope, TEM） | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope, SEM） | 第28-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaN 异质结结构中帽层对应变与缺陷的影响 | 第30-36页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验样品 | 第30-31页 |
| ·分析讨论 | 第31-35页 |
| ·不同种类帽层结构对 AlGaN 势垒层特性的影响 | 第31-33页 |
| ·二维电子气的输运特性及讨论 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 非极性 a 面 GaN 薄膜中缺陷对应变的影响 | 第36-46页 |
| ·导言 | 第36页 |
| ·样品和实验配置 | 第36-37页 |
| ·实验结果和讨论 | 第37-45页 |
| ·a 面 GaN 应变的测量 | 第37-40页 |
| ·BSF 密度的确定 | 第40-42页 |
| ·讨论 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第五章 GaN 二次外延中缺陷抑制方法的研究 | 第46-58页 |
| ·导言 | 第46-47页 |
| ·同质外延 | 第47-50页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-50页 |
| ·借助缺陷腐蚀的二次生长 | 第50-57页 |
| ·实验配置 | 第50页 |
| ·腐蚀——结果与分析 | 第50-55页 |
| ·生长——实验与结果 | 第55-57页 |
| ·小结与展望 | 第57-58页 |
| 结束语 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第70-72页 |
