GaN-MOCVD反应室的CFD数值模拟计算
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·MOCVD 国内外发展及其现状 | 第7-9页 |
| ·国外发展及现状 | 第7-8页 |
| ·国内发展及现状 | 第8-9页 |
| ·本文研究的目的及意义 | 第9-11页 |
| 第二章 GaN材料的性质与制备技术 | 第11-17页 |
| ·GaN 材料的性质 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料的晶格结构 | 第11页 |
| ·GaN 材料的物理化学性质 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料的电学性质 | 第12页 |
| ·GaN 材料的光学性质 | 第12页 |
| ·GaN 材料的制备 | 第12-17页 |
| ·衬底材料 | 第12-14页 |
| ·制备技术 | 第14-17页 |
| 第三章 MOCVD的基础理论 | 第17-25页 |
| ·MOCVD 的基本原理 | 第17-18页 |
| ·MOCVD 系统组成 | 第18-20页 |
| ·几种常见的 MOCVD 反应室 | 第20-25页 |
| 第四章 数值计算方法与Fluent软件 | 第25-37页 |
| ·数值计算方法 | 第25-32页 |
| ·CFD 方法 | 第25-26页 |
| ·控制方程 | 第26-27页 |
| ·边界条件 | 第27-28页 |
| ·控制方程的离散 | 第28-29页 |
| ·控制方程的求解 | 第29-30页 |
| ·气体物理特性 | 第30-32页 |
| ·FLUENT 软件 | 第32-37页 |
| ·GAMBIT 软件简介 | 第32-33页 |
| ·FLUENT 软件简介 | 第33-37页 |
| 第五章 反应室热流场的模拟计算分析 | 第37-55页 |
| ·MOCVD 设备反应室的建模 | 第37-40页 |
| ·MOCVD 反应室的几何结构 | 第37-38页 |
| ·MOCVD 反应室二维模型的建立 | 第38-39页 |
| ·基本假设 | 第39-40页 |
| ·工艺参数对热流场的影响 | 第40-55页 |
| ·入口流速对反应室热流场的影响 | 第40-43页 |
| ·基座温度对反应室热流场的影响 | 第43-45页 |
| ·操作压强对反应室热流场的影响 | 第45-47页 |
| ·基座旋转对反应室热流场的影响 | 第47-48页 |
| ·入口尺寸对反应室热流场的影响 | 第48-50页 |
| ·入口与基座间距对反应室热流场的影响 | 第50-52页 |
| ·反应室入口速度分布的研究 | 第52-55页 |
| 第六章 结束语 | 第55-57页 |
| ·本文总结 | 第55页 |
| ·本文不足 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 研究生在读期间研究成果 | 第63-64页 |
