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SiN应力膜研究与工艺实现

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-6页
第一章 绪论第6-10页
   ·研究背景及意义第6-7页
   ·国内外研究动态第7-8页
   ·论文主要研究工作及安排第8-10页
第二章 应力引入方法第10-26页
   ·应变Si第10-13页
   ·应变Si应力引入方法第13-20页
     ·全局应变技术第13-17页
     ·局部应变技术第17-20页
   ·SiN致应变技术第20-25页
     ·SiN致应变技术第20-23页
     ·应力记忆技术第23-24页
     ·复合应变技术第24-25页
   ·本章小结第25-26页
第三章 SiN膜应力机制研究第26-60页
   ·SiN膜应力分析第26-27页
     ·热应力第26页
     ·本征应力第26-27页
   ·SiN应力膜结构研究第27-32页
     ·张应力SiN第27-31页
     ·压应力SiN第31-32页
   ·SiN膜致应力作用机制研究第32-54页
     ·张应力第32-47页
     ·压应力第47-54页
   ·SiN膜应力提升机理研究第54-59页
     ·张应力SiN第54-58页
     ·压应力SiN第58-59页
   ·本章小结第59-60页
第四章 SiN应力膜工艺实现第60-70页
   ·SiN应力膜制备技术第60页
   ·SiN膜应力与工艺参数第60-62页
   ·实验结果与分析第62-69页
     ·实验方法第62-63页
     ·实验结果分析第63-69页
   ·本章小结第69-70页
第五章 总结与展望第70-72页
致谢第72-74页
参考文献第74-80页
研究成果第80页

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