| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·氮化镓的性质 | 第11-13页 |
| ·氮化镓的制备方法 | 第13-14页 |
| ·MOCVD外延技术简介 | 第14-18页 |
| ·MOCVD生长系统 | 第14-16页 |
| ·外延生长机理 | 第16-17页 |
| ·实时生长曲线 | 第17-18页 |
| ·本文研究内容和行文安排 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第2章 Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 | 第21-34页 |
| ·生长GaN用的衬底 | 第21-23页 |
| ·硅衬底GaN研究进展 | 第23页 |
| ·MOCVD法生长GaN | 第23-27页 |
| ·MOCVD法生长GaN的主要技术要求 | 第23-24页 |
| ·MOCVD法生长GaN存在的问题 | 第24页 |
| ·硅衬底GaN外延生长工艺 | 第24-27页 |
| ·外延片表征方法 | 第27-31页 |
| ·高分辨X射线衍射法(HRXRD) | 第27-28页 |
| ·光致发光测试系统(PL mapping仪) | 第28-30页 |
| ·荧光显微镜(FL) | 第30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第3章 改善硅衬底GaN量子阱光学特性的研究 | 第34-60页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·InGaN插入层对波长均匀性的影响 | 第34-40页 |
| ·样品制备 | 第34-35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| ·准备层In量对SQW波长及均匀性的影响 | 第40-42页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·样品制备 | 第40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| ·覆盖层长法对波长均匀性及光强的影响 | 第42-46页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·样品制备 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46页 |
| ·阱宽对光学质量的影响 | 第46-48页 |
| ·样品制备 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-48页 |
| ·小结 | 第48页 |
| ·大NH_3生长MQWs改善波长均匀性 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验过程与分析 | 第48-57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第4章 表面图形提高LED外量子效率 | 第60-73页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·GaN基LED外量子效率的提高方法 | 第60-66页 |
| ·反射镜 | 第60-62页 |
| ·表面粗化 | 第62-65页 |
| ·电极设计 | 第65-66页 |
| ·表面图形提高外量子效率 | 第66-70页 |
| ·实验过程 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第5章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |