| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·前言 | 第7-8页 |
| ·石墨烯材料特点 | 第8-11页 |
| ·石墨烯的晶格与能带结构 | 第8-11页 |
| ·石墨烯的电学性质及其应用 | 第11页 |
| ·研究现状和国内外发展趋势 | 第11-13页 |
| ·论文的研究目的和工作安排 | 第13-15页 |
| 第二章 石墨烯的Raman表征 | 第15-23页 |
| ·Raman散射光谱基本原理 | 第15-16页 |
| ·石墨烯的Raman光谱 | 第16-19页 |
| ·衬底对石墨烯Raman光谱的影响 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 基于SiC外延石墨烯机制及工艺过程 | 第23-39页 |
| ·石墨烯的制备 | 第23-25页 |
| ·微机械剥离法 | 第23-24页 |
| ·CVD法 | 第24-25页 |
| ·SiC高温外延石墨烯法 | 第25页 |
| ·SiC外延石墨烯 | 第25-28页 |
| ·SiC的结构 | 第25-26页 |
| ·SiC外延石墨烯的机制 | 第26-28页 |
| ·SiC外延石墨烯预处理工艺 | 第28-32页 |
| ·预处理和刻蚀 | 第29-31页 |
| ·去除氧化物 | 第31-32页 |
| ·外延生长 | 第32-38页 |
| ·UHV条件下SiC外延石墨烯 | 第32-34页 |
| ·低真空条件下SiC外延石墨烯 | 第34-36页 |
| ·高压Ar氛围下SiC外延石墨烯 | 第36-38页 |
| ·本章小节 | 第38-39页 |
| 第四章 SiC外延石墨烯实验研究及Raman表征 | 第39-51页 |
| ·温度对SiC外延石墨烯的影响 | 第39-44页 |
| ·温度对硅面外延石墨烯的影响 | 第40-42页 |
| ·温度对碳面外延石墨烯的影响 | 第42-44页 |
| ·SiC衬底外延大面积石墨烯 | 第44-49页 |
| ·偏8°4H-SiC硅面外延覆盖衬底的大面积石墨烯 | 第44-47页 |
| ·SiC外延大面积高质量石墨烯其它方式 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |