| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·新型半导体材料（GaN材料）的发展与应用 | 第11-12页 |
| ·超晶格结构材料的简介与制备 | 第12-14页 |
| ·超晶格简介 | 第12-14页 |
| ·超晶格的制备 | 第14页 |
| ·GaN基HEMT器件的研究与进展 | 第14-17页 |
| ·传统alloy-AlGaN/GaN HEMT器件 | 第14-15页 |
| ·Quasi-AlGaN/GaN HEMT器件 | 第15-17页 |
| ·本文的研究工作与安排 | 第17-19页 |
| 第二章 Quasi-AlGaN/GaN异质结的理论仿真 | 第19-37页 |
| ·超晶格结构与GaN异质结结构 | 第19-25页 |
| ·GaN基异质结 | 第19-21页 |
| ·Alloy-AlxGa1-xN/GaN的 2DEG的形成与密度 | 第21-22页 |
| ·Alloy-AlGaN/GaN和Quasi-AlGaN/GaN异质结中 | 第22-25页 |
| ·Quasi-AlGaN/GaN异质结构的一维泊松自洽仿真 | 第25-28页 |
| ·一维泊松自洽仿真的数学物理模型 | 第25-26页 |
| ·Quasi-AlGaN/GaN异质结构的 2DEG仿真 | 第26-28页 |
| ·不同结构参数对quasi-AlGaN/GaN HEMT器件的影响 | 第28-36页 |
| ·不同quasi-Al组分 | 第29-32页 |
| ·不同周期厚度 | 第32-33页 |
| ·不同周期数 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 氮化物超晶格材料的生长与表征 | 第37-55页 |
| ·氮化物材料的外延生长技术 | 第37-41页 |
| ·生长技术 | 第37-40页 |
| ·实验生长设备 | 第40-41页 |
| ·氮化物超晶格薄膜的MOCVD外延生长 | 第41-44页 |
| ·物化过程 | 第41页 |
| ·异质结外延生长模式 | 第41-42页 |
| ·主要流程 | 第42-44页 |
| ·超晶格半导体材料的表征 | 第44-54页 |
| ·HRXRD | 第44-49页 |
| ·AFM | 第49-50页 |
| ·STEM测量 | 第50-52页 |
| ·C-V测量 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 GaN/AlN超晶格的生长以及特性研究 | 第55-75页 |
| ·脉冲法生长高质量GaN/AlN薄膜的原理 | 第55-56页 |
| ·生长周期数对GaN/AlN超晶格结晶质量的影响 | 第56-62页 |
| ·样片的制备 | 第57-58页 |
| ·样片HRXRD分析 | 第58-60页 |
| ·样片AFM分析 | 第60-62页 |
| ·生长温度对GaN/AlN超晶格结构质量的影响 | 第62-65页 |
| ·高温对超晶格生长的影响 | 第62-64页 |
| ·低温对超晶格生长的影响 | 第64-65页 |
| ·不同NH3流量对GaN/AlN超晶格质量的影响 | 第65-69页 |
| ·样片AFM分析 | 第65-68页 |
| ·样片HRXRD分析 | 第68-69页 |
| ·GaN/AlN超晶格做quasi-AlGaN势垒层的电特性研究 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 结束语 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 硕士期间获得的成果 | 第85-86页 |
