| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·研究背景和意义 | 第10-11页 |
| ·Ge/Si、SiGe/Si异质结及其应用 | 第11-15页 |
| ·Ge/Si、SiGe/Si异质结材料性质 | 第11-13页 |
| ·Ge/Si、SiGe/Si异质结的应用 | 第13-15页 |
| ·Ge/Si、SiGe/Si异质结光电探测器的研究进展 | 第15-18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 半导体光电探测器的基本理论 | 第23-46页 |
| ·半导体光电探测器的工作机制 | 第23-30页 |
| ·半导体材料中的载流子 | 第23-25页 |
| ·半导体结对光照的响应 | 第25-29页 |
| ·载流子的雪崩倍增效应 | 第29-30页 |
| ·光电探测器的类型 | 第30-37页 |
| ·光电探测器的分类 | 第30-33页 |
| ·PIN型光电探测器 | 第33-34页 |
| ·分离吸收层与倍增层雪崩型(SACM-APD)光电探测器 | 第34-35页 |
| ·其它类型光电探测器 | 第35-37页 |
| ·光电探测器的主要性能参数 | 第37-44页 |
| ·响应度与量子效率 | 第37-38页 |
| ·暗电流 | 第38-39页 |
| ·响应速度 | 第39-40页 |
| ·频率响应 | 第40-42页 |
| ·噪声 | 第42-43页 |
| ·噪声等效功率与探测度 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 第三章 Ge/Si异质结光电探测器的制备工艺 | 第46-59页 |
| ·Ge/Si异质结的制备方法 | 第46-54页 |
| ·分子束外延 | 第46-48页 |
| ·化学气相沉积 | 第48-50页 |
| ·Ge/Si异质结材料的制备 | 第50-54页 |
| ·光电探测器的制备工艺 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第四章 位错对Ge/Si异质结光电探测器特性的影响 | 第59-84页 |
| ·位错的形成机理及其性质 | 第59-65页 |
| ·位错的理论基础 | 第59-62页 |
| ·位错的特性分析 | 第62-64页 |
| ·实际晶体结构中的位错 | 第64-65页 |
| ·Si基Ge外延层中的位错及其影响 | 第65-70页 |
| ·Si基Ge外延层中位错的形成机理 | 第65-67页 |
| ·Si基Ge外延层中位错的实验测定 | 第67页 |
| ·Si基Ge外延材料的载流子产生复合模型 | 第67-69页 |
| ·Si基Ge外延层中的空间电荷 | 第69-70页 |
| ·位错对Ge/Si异质结光电探测器特性的影响 | 第70-82页 |
| ·位错密度大小对光电探测器特性的影响 | 第70-76页 |
| ·位错激活能对光电探测器暗电流的影响 | 第76-78页 |
| ·位错对Ge/Si异质结光电探测器特性影响的实验验证 | 第78-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 第五章 Ge/Si异质结中热应变对光电探测器的影响 | 第84-100页 |
| ·半导体材料中的应变及其测试方法 | 第84-93页 |
| ·半导体材料中的应力引入技术 | 第84-87页 |
| ·应变对能带结构的影响 | 第87页 |
| ·应变对载流子迁移率的影响 | 第87-89页 |
| ·应变的表征技术 | 第89-91页 |
| ·应变的模型 | 第91-93页 |
| ·Si/Ge异质结中的热应变 | 第93-96页 |
| ·Ge/Si异质结材料中热应变的形成 | 第93-94页 |
| ·热应变的理论基础 | 第94-96页 |
| ·热应变对Ge/Si异质结光电探测器特性的影响 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第六章 Ge/Si异质结光电探测器的频率特性的研究 | 第100-115页 |
| ·光电探测器的频率响应 | 第100-107页 |
| ·光电探测器频率响应的制约因素 | 第100-101页 |
| ·频率响应的矩阵代数分析法 | 第101-106页 |
| ·频率响应的测试技术 | 第106-107页 |
| ·PIN型Ge/Si异质结光电探测器的频率特性 | 第107-110页 |
| ·SACM-APD型Ge/Si异质结光电探测器的频率特性 | 第110-113页 |
| 参考文献 | 第113-115页 |
| 第七章 主要结论 | 第115-117页 |
| 博士期间科研成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
